نام پژوهشگر: افشان امیدوار دزفولی

بررسی ساخت نانوسیم های فلزی با استفاده از رسوب گذاریالکتروشیمیایی در غشای ردپای هسته ایی
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1390
  افشان امیدوار دزفولی   بابک ژاله

در این پروژه نانوسیم های فلزیni و fe و نانوسیم های بس لایه ای ni/fe درون حفره های قالب پلی کربنات با قطر100nm به روش رسوب گذاری الکتروشیمیایی تهیه شدند.رسوب گذاری الکتروشیمیایی به صورت پتانسیواستات و با استفاده از سیستم سه الکترودی انجام شد. رشد نانوسیم های ni، fe و نانوسیم های بس لایه ای ni/fe، به ترتیب با استفاده از الکترولیتی حاوی نمک ni، نمک feو سیستم دو حمامی حاوی نمک های ni و feانجام گردید. پتانسیل بهینه اعمالی جهت رشد نانوسیم هایni وfe به ترتیب 1/1v- و1v- مورد استفاده قرار گرفت. نمودار جریان -زمان رشد دو مرحله ای نانوسیم ها شامل جوانه زنی در انتهای حفره ها و شروع رشد نانوسیم ها درون حفره ها را بر روی قالب پلی کربنات بیان نمود. خواص مورفولوژی نانوسیم ها توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) و پراش پرتوی x مورد مطالعه قرار گرفت. ترکیب شیمیایی نانوسیم ها توسط طیف دستگاه آنالیز پراکندگی انرژی اشعهedx) x) تعین گردید و خواص مغناطیسی نانوسیم ها توسط مغناطیس سنج ارتعاشی (vsm) تعیین گردید.