در این تحقیق خوردگی سرب در دو حالت الکتروشیمیایی و فتوالکتروشیمیایی بررسی شده،در مطالعه الکتروشیمیایی خوردگی سرب که در محیط کلراید سدیم در محدوده غلظتی 1/0 تا 1 مولار توسط روشهای تافل و امپدانس الکتروشیمیایی انجام شده با استفاده از الکترود سرب با قطر cm 1 افزایش غلظت محلول عاملی در افزایش خوردگی سرب بوده و داده های تافل و ا مپدانس مبین این مسئله می باشند اما در قسمت دیگر این تحقیق که عملا به نوعی بخش اصلی نیز به حساب می آید خوردگی فتو الکتروشیمیایی سولفید سرب در محیط کلراید سدیم صورت گرفته بدین صورت که ابتدا تلاش محقق بر تشکیل بهترین و با کیفیت ترین لایه سولفید سرب بوده و نتیجه حاصل تشکیل لایه مذکور به روش پتانسیل دینامیکی امپدانس الکتروشیمیایی با شرایط پتانسیل 55/0 ولت و زمان 60 ثانیه می باشد،این شرایط شرایطی است که با کیفیت ترین لایه ی سولفید سرب با بیشترین مقاومت حاصل می شود لازم به ذکر است بررسی های انجام شده نشان می دهد وجود نور کیفیت لایه را کاسته و سرعت خوردگی را افزایش میدهد،با تشکیل بهترین لایه ی سولفید سرب خوردگی آن توسط تکنیک تافل در محدوده پتانسیل 1- تا 5/0 ولت و تکنیک امپدانس در پتانسیل مدار باز در تاریکی و حضور نور مطالعه شده و این مطالعه در غلظتی از کلراید سدیم با بیشترین جریان خوردگی برای سرب خالص انجام گرفته که این غلظت 5/0 مولار می باشد که نتایج مبین این مسئله است که وجود نورسبب ایجاد الکترون ها و حفره ها و افزایش نقل و انتقالات حاملین اکثریت در این نیمه هادی شده که سبب بالا تر رفتن سطح انرژی تراز فرمی و افزایش نقص کریستالی لایه الکترو ترسیب شده میشود.کاهش مقاومت انتقال بار –فضای بار در حضور نور توسط تکنیک امپدانس الکترو شیمیایی نیز تایید می شود.