نیمرساناهای ii-vi به دلیل گاف پهن نواری و قابلیت کاربرد برای قطعات اپتوالکترونیک بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. انرژی گاف آن ها بین 3- 1 الکترون ولت می باشد، از این رو ابزار مناسبی برای این قطعات در ناحیه مرئی طیف هستند. در این مطالعه، ما با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی آلیاژهای نیمرسانای zn1-xmgxs، zn1-xmgxse و zn1-xmgxte را در فاز مکعبی به ازای مقادیر بررسی کرده ایم. برای سهم تبادلی همبستگی از تقریب شیب تعمیم یافته با تابعی پردو و همکاران استفاده شده است. چگالی حالت های کلی و جزئی و همچنین ساختار نواری برای هر ترکیب محاسبه شده است. محاسبات ساختار نواری نشان می دهد که همه این ترکیبات دارای گاف انرژی مستقیم در نقطه در مرکز ناحیه بریلوئن هستند. همچنین ویژگی های اپتیکی مانند تابع دی الکتریک، ضریب جذب، بازتابندگی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و طیف اتلاف انرژی الکترون با استفاده از تقریب فاز کاتوره ای (rpa) مورد محاسبه قرار گرفته اند. نتایج به دست آمده با محاسبات نظری قبلی و داده های تجربی موجود مقایسه شده اند. این نتایج در توافق رضایت بخشی با داده های موجود هستند. ضمناً طیف قسمت موهومی تابع دی الکتریک بررسی و در مورد منشأ پیک ها در طیف، برحسب ساختار الکترونی بحث شده است. نتایج نشان می دهند که حالت های p اتم کالکوژن به عنوان حالت های اولیه و حالت های s اتم های zn و mg و d اتم کالکوژن به عنوان حالت های نهایی نقش اصلی را در گذارهای اپتیکی بر عهده دارند.