دراین رساله مختصری در رابطه با فناوری نانو و کاربردهای آن پرداخته شده است. سپس ساختار اتم کربن و پیوندهای بین اتمهای آن و بویژه گرافیت، گرافن و نانولوله کربنی اعم از رسانا و نیمه رسانا که با تغییر کایرالیته بوجود می آیند و ترازهای انرژی، چگالی حالت و چگونگی ساخت نیمه هادی نوع n و p با نانولوله کربن پرداخته شده است. در ادامه ساخت ترانزیستور با استفاده از نانولوله کربن از دو نوع سد شاتکی و شبه mosfet بررسی شده و به خاطر مزایای ترانزیستور شبه mosfet این ترانزیستور در طراحی lut بکار گرفته شده و مدار معادل آن در سه سطح آورده شده است. با توجه به تقریبهای به کار گرفته شده، این مدلها برای طول کانال <lch<100nm 10nm معتبر می باشند. از آنجائی که این رساله در خصوص مقایسه جدول جستجو lut با دو تکنولوژی cnfet و mosfet است مختصری در رابطه با fpga و ساختار lut پرداخته شده است و بخشهایی از fpga که با تکنولوژی نانو توسط محققین ارائه گردیده، آورده شده است. در انتها یک lut با استفاده از سلولهای حافظه با نانولوله های کربن دوگانه nems و mux و بافر خروجی با ترانزیستورهای cnfet ارائه گردید و عملکرد آن با بکارگیری تکنولوژی bptm و شبیه ساز hspice برای دو ترانزیستور cnfet و mosfet با اعمال پالس با فرکانسهای متفاوت و اعمال ورودیهای مختلف به سلولهای حافظه مورد ارزیابی قرار گرفته است. پارامترهای مورد ارزیابی عبارتند از ,pdp,tr,tf,tplh,tphl pavgeو سطح تراشه مرتبط با این طراحی، که در تمام موارد کلیه پارامترها و بویژه توان متوسط مصرفی (pavge) و حاصلضرب تأخیر در توان مصرفی(pdp) بهبود یافته و سطح نیز تا میزان نصف کاهش یافته است بررسی ها برای دو سطح ولتاز 1v,1.5v و دو کایرالیته (19,0) , (22,21) صورت گرفته است.