در این پروژه ابتدا نانوسیم های کبالت- پلاتین به روش الکتروانباشت تهیه و سپس به بررسی خواص مغناطیسی آن ها پرداخته شد. برای بررسی خواص مغناطیسی نانوسیم های بس لایه ای و آلیاژی کبالت- پلاتین، این نانوسیم ها در نانوحفره های ایجاد شده در سطح زیرلایه سیلیکون، انباشت داده شدند. با محاسبات مغناطومقاومت مشخص شد که با کاهش ضخامت لایه-های بس لایه ای، مغناطومقاومت بزرگ به مغناطومقاومت ناهمسانگرد تبدیل می شود و نانوسیم از حالت بس لایه ای به آلیاژی گذار پیدا می کند. هم چنین منحنی پسماند این نمونه-ها نشان داد که با کاهش ضخامت لایه ها و گذار نانوسیم ها از بس لایه ای به آلیاژی، مقدار وادارندگی نمونه ها افزایش می یابد. در بخش دوم این کار، ناهمواری های سطحی لایه های نازک نیکل الکتروانباشت شده بر روی زیرلایه طلا، توسط الکترود دیسک چرخان، مورد بررسی قرار گرفت. با استفاده از تصاویر به دست آمده از میکروسکوپ نیروی اتمی و محاسبه ناهمواری های سطحی بر حسب طول اسکن برای لایه های انباشت شده، مشخص شد با افزایش سرعت چرخش زیرلایه میزان ناهمواری های سطحی کاهش می یابد. هم چنین با افزایش ضخامت لایه های نازک و چگالی جریان، میزان ناهمواری های سطحی افزایش می یابد. پس از این، خواص فرکتالی لایه های نیکل انباشت شده به صورت نظری بررسی شد. در محاسبات انجام شده مشخص شد تمامی لایه های نازک دارای خاصیت تک فرکتالی می-باشند. هم چنین مقادیر نمای هارست، نمای مقیاس چند فرکتالی و نمای همبستگی با افزایش میزان ناهمواری های سطحی لایه ها، افزایش می یابند.

امروزه نانو فناوری جایگاه ویژهای در دنیای علم و زندگی روزمره انسان ها پیدا کرده است. یکی از زیباترین شاخه های نانو فناوری، نانوسیم ها هستند که فیزیک حاکم بر دنیای آنها توجه های تعداد زیادی از محققین و دانشمندان را به خود جلب کرده است. در مقایسه با سایر روش ها الکتروانباشت با استفاده از یک تمپلیت نانو متخلخل هم از نظر ارزانی و هم از نظر سادگی برتری های محسوسی داد. هدف این پروژه در مرحله اول ساخت تمپلیتهای متخلخل برای الکتروانباشت نانوسیم های مغناطیسی درون حفره های آن ها می باشد. برای تهیه تمپلیتها از آندی کردن دو مرحله ای آلومینیوم در اسید سولفوریک استفاده شد که بررسی ساختار آن ها با استفاده از sem ساختار منظم و تنگ پکیده ای از حفره هایی با قطر 25 نانومتر را نشان می دهد. برای سنتز نانوسیم2ها چندلایه و منفرد درون حفره های اکسید آلومینیوم از هر دو روش الکتروانباشت ac و dc استفاده شد. نانوسیم های conicu، co/cu، coni/cu، coni، co و fe با موفقیت سنتز شدند؛ که تصویر های sem ساختار پیوسته آن ها را نشان می دهد و ازالگوی xrd برای بررسی ساختار نانوسیم هااستفاده شد برای بررسی خواص مغناطیسی نانوسیم های الکتروانباشت شده از agfm استفاده شد