هدف این پروژه تهیه فیلم های لایه نازک نانوساختار ito:m (m=tio2,zro2) به روش سل ژل و با تکنیک غوطه وری و سپس بررسی خواص اپتیکی و الکتریکی آن ها می باشد. بنابرین پروژه شامل سه مرحله می باشد. مرحله اول ،تهیه فیلم مناسبی از ito، مرحله دوم تهیه سل tio2 و zro2 و سپس لایه نشانی آن ها روی فیلم ito اولیه و مرحله سوم، بررسی تاثیر این فیلم ها روی خواص ساختاری و الکتریکی ito است. برای تهیه سل ito مناسب، از کلرید قلع(iv) پنج آبه و کلرید ایندیم(iii) به عنوان مواد اولیه و پایه استفاده شد. این سل توسط روش غوطه وری نشانده شد. به منظور بهبود خواص الکتریکی و اپتیکی فیلم ito پارامترهای مختلفی مثل غلظت سل اولیه، تعداد دفعات لایه نشانی، سرعت لایه نشانی و اثر دما بعد از هر بار لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفته و بهینه شد. فیلم ito تشکیل شده در این شرایط خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی مناسبی از خود نشان داد که که توسط روش های تجزیه عنصری میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) و پراش پرتو ایکس (xrd) و طیف بینی uv-vis مورد بررسی قرار گرفت. همچنین یک فیلم ito روی فیلم ito اولیه لایه نشانی شد. سل tio2 و zro2 نیز تهیه و روی ito لایه نشانی شد. علاوه براین خواص الکتریکی و اپتیکی فیلم های لایه نازک ito/ito/tio2 و ito/zro2 مورد بررسی قرار گرفت. در نهایت برای بررسی اثرات نانولوله کربن، عامل دار شده روی خواص ito مقدار کمی از آن به سل اضافه و با تکنیک غوطه وری لایه نشانی شد. سل موردنظر کلسینه گردید و خواص ساختاری، الکتریکی و مورفولوژی آن، توسط روش های تجزیه عنصری xrd و sem و سیستم چهار ترمینالی بررسی شد.