نام پژوهشگر: محمد علی محمدی کشتان

بررسی ویژگی های ترابرد الکتریکی نانونوار گرافینی تک لایه در حضور میدان مغناطیسی قوی خارجی
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده فیزیک 1391
  محمد علی محمدی کشتان   حسین چراغچی

ویژگی های ترموالکتریکی گرافین در سال 2007 به طور غیر مستقیم با روش طیف سنجی رامان، و از سال 2008 به طور مستقیم با استفاده از ضرایب سی بک و نرست مورد بررسی تجربی قرار گرفته است. هم زمان بررسی های نظری نیز در این باره مورد توجه قرارگرفته اند. پژوهش ها برقراری رابطه ی نیمه کلاسیکی(رفتار خطی جریان ترموالکتریکی با دما) و تعمیم یافته ی مات را به ترتیب در غیاب و حضور میدان مغناطیسی در دماهای پایین به جز در نزدیکی نقطه خنثی بار نشان می دهند. در حضور میدان مغناطیسی قوی ضرایب نرست و سی بک مستقل از کایرالیتی و پهنای نوار بیشینه هایی را در عبور سطح فرمی از ترازهای لاندائو نشان می دهند ( رفتاری نوسانی). در صفر بیشینه ی ضریب سی بک از بین می رود و مقدار ضریب نرست نیز تغییر قابل توجه ای می کند. در غیاب میدان مغناطیسی ضریب نرست صفر شده ولی ضریب سی بک وابستگی شدیدی به کایرالیتی پیدا می کند. رفتار عجیب در صفر به تغییر نوع حامل های بار نسبت داده می شود.