در این کار ما قصد داریم قرص های برافزایشی استاندارد همراه با تاثیرات میدان مغناطیسی و اتلاف ناشی از وشکسانی و مقاومت مغناطیسی را شبیه سازی کنیم؛ با استفاده از کد ‎pluto‎ می توان سیال برافزایشی مغناطیده را شبیه سازی کرد و تغییر در چگالی، فشار و سرعت های سیال و گازهای اطراف قرص را مورد بررسی قرار داد؛ این تغییرات که ناشی از جابجایی و حرکت ذرات می باشند موجب خم شدگی در خطوط میدان مغناطیسی در داخل سیال و فضای اطراف قرص خواهد شد؛ مشاهده می شود که این خم شدگی در داخل سیال کمتر و در فضای اطراف قرص بیشتر است؛ همچنین معادلات ‎$mhd$‎ با اثر هال را به کار گرفتیم و تأثیر آن بر خمیدگی خطوط میدان مغناطیسی را بررسی کردیم، مشاهده می شود که اثر هال باعث به وجود آمدن جریان عرضی در داخل قرص و در جو اطراف قرص می شود.