امروزه با توجه به نیاز روزافزون به ارسال اطلاعات خصوصا در شبکه های اینترنتی و مخابراتی در سرتاسر دنیا نیاز به پهنای باند وسیع احساس میشود یکی از روشهایی که می توانیم یک تقویت کننده باند وسیع داشته ایده تقویت کنندههای توزیع شده می باشد. خازنهای ذاتی بین پیوندهای نیمه هادی موجب کاهش پهنای باند تقویت کننده می شوند. سلفهایی که بین ترانزیستورها قرار می گیرند به عنوان عامل خنثی کننده این اثرات پیشنهاد می گردد. تفاوت اساسی یک تقویت کننده توزیع شده در مقایسه با یک تقویت کننده سنتی در آنست که در تقویت کننده توزیع ،سیگنال از چند مسیر موازی از ورودی به خروجی هدایت می شود در حالی که در یک تقویت کننده معمولی بین ورودی و خروجی تنها یک مسیر ترانزیستوری قرار دارد. در این رساله ما به بررسی اصول عملکرد تقویت کننده های توزیع شده و ماتریسی بررسی مدلهای غیر خطی ترانزیستورmesfet می پردازیم ، سپس طراحی تقویت کننده گسترده را با عناصر فشرده بیان می کنیم. ترانزیستور مورد استفاده nec3210 بوده که استخراج پارامترهای غیر خطی مدل tom آن توسط موسسه cel انجام گرفته است. در ادامه این عناصر فشرده را با خطوط مایکرواستریپ معادل جایگزین می کنیم. در پایان با روش هارمونیک بالانس مدار تقویت کننده را ارزیابی می کنیم و اثر تغییر سطرها و ستونهای تقویت کننده بر پارامترهای غیرخطی نظیر محل وقوع 1dbفشردگی ، ضریب ip3، پهنای باند و گین مدار را بررسی شد. مشخصات تقویت کننده های توزیع شده در حالات خطی و غیر خطی بررسی و مقایسه شد. راه کارهایی جهت بهبود این حالات ارائه گردید.