در این کار تحقیقاتی ابتدا c- متیل کالیکس [4] رزورسین آرن سنتز شد. سپس نانو ذرات آهن اکسید با استفاده از واکنش هم رسوبی یون های فرو و فریکدر محیط قلیایی تهیه گردید و با استفاده از تترا اتیل ارتو سیلیکات (teos) پوشش داده شد. پوشش نانو ذرات توسط teos علاوه بر پایداری بیشتر نانوذرات در برابر اکسایش در شرایط عادی، باعث پایداری آن در محیط های با ph اسیدی نیز میشود. سپس گروههای هیدروکسی موجود بر روی سطح نانو ذرات پوشیده شده، توسط 3-کلرو پروپیل تری متوکسی سیلیکات (3-cptms) عامل دار شد. این ترکیب علاوه بر اتصال نانوذرهی پوشیده شده به آرن، باعث افزایش فضای خالی برای ورود مولکولها و یونهای بزرگتر را به حفرهی آرن مهیا میکند. بدین ترتیب کالیکس [4] رزورسین آرن استخلاف شده به عنوان یک سوپرا مولکول عامل دار شدهی جدید ارائه، و تشکیل آن توسطir و tgaو tem تایید گردید و برای بررسی خاصیت مغناطیسی ترکیب از vsm استفاده شد. این ترکیب به دلیل داشتن حفره و نیز با داشتن هر دو گروه آبگریز و آبدوست و نیز به دلیل خاصیت مغناطیسی، و نیز توانایی عدم تخریب در حین واکنش و قابل بازیابی بودن به عنوان کاتالیزور ناهمگن و انتقال فاز، در واکنش های حلقه گشایی اپوکسید بررسی و استفاده گردید.