چکیده: آنچه امروز بشر را به سوی ساخت و بررسی های نانوسیم های مغناطیسی سوق داده است ، اهمیت روز افزون این نانوساختارها و کاربردهای متنوع آنها در ساخت حافظه ها مغناطیسی و حسگرها می باشد. در این میان نانوسیم های کبالت به دلیل ناهمسانگردی شکلی و ناهمسانگردی مغناطوبلوری بالایی که دارند بیشتر مورد توجه قرار گرفته اند. لذا در این پژوهش ساخت نانوسیم های مغناطیسی کبالت را در قالب آلومینای حفره دار و به روش الکترونهشت پالس متناوب با سه متغیر اسیدیته الکترولیت ، قطر نانوسیم ها و سرعت الکتروانباشت اتم های کبالت پیش گرفتیم. در این پژوهش به منظور مطالعه خواص میکروساختاری نانوسیم های ساخته شده ، از آنالیز پراش پرتو ایکس و برای بررسی خواص مغناطیسی از حلقه های پسماند ومنحنی های بازگشتی مرتبه اول استفاده شد. نتایج xrd تغییر جهت ناهمسانگردی مغناطوبلوری را از راستای عمود بر ناهمسانگردی شکلی در اسیدیته 3 به راستای موازی با آن در اسیدیته 25/5 و نهایتا افزایش وادارندگی با تغییر اسیدیته را نشان می دهند. در ادامه کاهش مقدار وادارندگی با افزایش جریان الکتروانباشت از تمام آنالیزهای بدست آمده نتیجه شد. همچنین تاثیر افزایش قطر در نانوسیم ها با عریض سازی نمونه ها تا 30 ، 40 و 50 دقیقه مورد مطالعه قرار گرفت . وادارندگی با افزایش قطر نیز روند کاهشی را از خود نشان داد که در نمونه های ساخته شده در اسیدیته 25/5 نحوه این تغییرات متفاوت بود. در این راستا با تغییر نگرش به دیاگرام های forc و مقایسه این دیاگرام ها با نتایج آنالیز xrd ، رابطه ای میان مکان قله در دیاگرام ها و جهت رشد صفحات بلوری مشخص شد. این مقایسه نشان داد که چون در جریان های الکتروانباشت میانی و زمان عریض سازی 30 دقیقه جهت رشد بلوری غالب تغییرمی کند، کاهش وادارندگی در این شرایط خود را بیشتر نشان می دهد.