ضرورت توجه به ساخت ترانزیستورهای با محدوده عملکرد بالا (توان بالا وفرکانس قطع بالا) در ولتاژهای پایین باعث شد که عواملی که باعث افزایش جریان الکترونی این ترانزیستورها می شوند مورد بحث و بررسی قرار گیرند. برای بررسی اثر پهنای ناحیه تهی بر جریان الکترونی fetهای inaln/inn، ابتدا باید یک سری پارامترهای فیزیکی دقیق و کامل بدست آید، برای بدست آوردن این پارامترها چون چگالی گاز الکترونی، چگالی بار سطحی و ولتاژ آستانه باید معادله شرودینگر و پواسون بصورت خود سازگار حل گردند . نتایج کلی نشان می دهند که به ازای ولتاژهای گیت کمتر، تراکم الکترونی چاه کوانتومی افزایش می یابد. همچنین پهنای ناحیه تهی کاهش یافته و یک کانال جریان در ناحیه سد inaln بوجود می آید، که یکی از عوامل کاهش چگالی نفوذ الکترونهای چاه کوانتومی به ناحیه سد inaln، در اثر کاهش پهنای ناحیه تهی می باشد. سپس به بررسی و ارائه یک مدل تحلیلی می پردازیم که با نتایج تجربی سازگاری خوبی داشته باشد، برای این منظور اثر پهنای ناحیه تهی بر چگالی الکترونی چاه کوانتومی و محاسبه جریان در چاه کوانتومی دو بعدی ، محاسبه جریان در پهنای ناحیه تهی و تاثیر مجموع این جریانها را بر روی مدل تحلیلی مطالعه کردیم. در بررسی جریان درین- سورس بر حسب ولتاژ درین- سورس به ازای طول گیت های مختلف معلوم شد که برای هر ولتاژ مشخص جریان درین با کاهش طول گیت در این همت افزایش می یابد، که علت آن این است که با افزایش ولتاژ آستانه گیت، چگالی گاز الکترونی دو بعدی افزایش می یابد.