نیمه رساناهای(mg2si, mg2ge) نقش مهمی در تکنولوژی دارند. با استفاده از پارامترهای کشسانی بلور، اطلاعات ارزشمندی در مورد پیوند اتمی و پایداری ساختار می توان به دست آورد. در این پایان نامه خواص الکتریکی و مکانیکی ترکیبات (mg2si, mg2ge)با استفاده از نظریه ی تابعی چگالی، مورد مطالعه قرار گرفته است. پارامتر بهینه ی شبکه و ثابت های کشسانی مستقل، با استفاده از کد نرم افزاری wien2k و تقریب شیب تعمیم یافته به دست آمده است. برای بررسی خواص ساختاری و الکترونی ترکیبات (mg2si, mg2ge) چگالی حالت های کلی و جزیی و همچنین ساختار نواری این ترکیبات در تقریب های gga و mbj بررسی شدند. در تقریب gga گاف انرژی برای mg2si و mg2ge به ترتیب برابر با 26/0 و 143/0 الکترون- ولت و در تقریب mbj به ترتیب53/0 و 58/0 الکترون- ولت به دست آمد. آنالیز ساختار نواری و چگالی حالت های کلی و جزئی نشان داد که ترکیبات mg2si و mg2ge نیمه رسانا با گاف نواری غیر مستقیم هستند. محاسبات نظری برای برآورد خواص کشسانی این ترکیبات انجام شده است و ثابت های شبکه-ی به دست آمده، تطابق خوبی با مقادیر محاسبه شده ی دیگران دارد. برای محاسبه ی مدول حجمی، مدول برشی، مدول یانگ و ضریب پواسون، از تقریب voight-reuss-hill استفاده شده است. پارامتر ناهمسانگرد زینر و رفتار مفتول شدگی/ شکنندگی این ترکیبات نیز بررسی شد. نتایج حاکی از همسانگردی این ترکیبات است هرچند مقادیر پارامتر زینر برای این ترکیبات نشان می دهد که ترکیب mg2ge نسبت به mg2si همسانگردتر است. سرعت های تراکمی، حجمی، برشی و میانگین سرعت موج و نیز دمای دبای این ترکیبات محاسبه شده اند.