نانوسیمهای مغناطیسی با توجه به کاربرد آنها در زمینه ی ساخت حافظه های مغناطیسی عمودی چگالی بالا و خواص مقاومت مغناطیسی بزرگ (gmr) آنها مورد توجه بسیاری از دانشمندان و پژوهشگران قرار گرفته است. تاکنون نانوسیم های مغناطیسی مختلفی شامل نانوسیم های تک عنصری و آلیاژی مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به اثرات مطلوب افزودن عناصر غیرمغناطیسی بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها، ساخت نانوسیم های آلیاژی nizn و بررسی خواص مغناطیسی و ساختاری آنها مورد توجه قرار گرفت. ساخت نانوسیمها به روش الکتروانباشت پالس متناوب درون قالب آلومینای حفره دار صورت گرفت. قالب آلومینای حفره دار توسط روش آندایز دو مرحله ای در اسید اکسالیک 0.3مولار و ولتاژ 40 ولت ساخته شد. در ساخت نانوسیم ها از سه الکترولیت با غلظت ثابت 0.6 مولار نیکل و غلظت های روی 0.01، 0.0075 و 0.005 مولار استفاده شد و تاثیر تغییر غلظت روی و افزایش زمان خاموشی بین پالسها بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها مورد بررسی قرار گرفت. همچنین اثر تابکاری بر خواص مغناطیسی و ساختاری نانوسیم ها مورد توجه قرار گرفت. درصد آلیاژی نانوسیمها توسط آنالیز eds و خواص مغناطیسی و ساختاری آنها به ترتیب توسط آنالیزهای vsm و xrd بررسی شد. افزایش زمان خاموشی باعث کاهش مغناطش اشباع و وادارندگی شده است. همچنین تابکاری نانوسیمها در دماهای مختلف مغناطش اشباع را افزایش و وادارندگی را کاهش داد. بررسی طیف پراش پرتو x نشان داد که نانوسیمها دارای ساختار fcc مربوط به عنصر نیکل هستند. پهنای قله های x-ray بزرگتر از پهنای قله های مربوط به نانوسیم های نیکل خالص بود. علاوه براین با افزایش زمان خاموشی و غلظت روی قله ها به سمت زوایای کمتر رفته اند که این دو پدیده حضور عنصر روی را در ساختار نیکل تایید می کنند. طیف xrd نمونه ی تابکاری شده نشان داد که تابکاری باعث خروج اتم های روی از ساختار نیکل شده و در نتیجه قله به سمت زوایای مربوط به نیکل خالص رفته است. در انتها به بررسی علت کاهش وادارندگی نانوسیم ها بعد از فرایند تابکاری با استفاده از آنالیز forc پرداختیم. نتایج آنالیز forc نشان داد که تابکاری باعث چندحوزه ای شدن نانوسیمها و افزایش برهم کنش شده است در نتیجه در اثر افزایش تعداد حوزه ها وادرندگی کاهش یافته است.