سلنید قلع (snse) یکی از نیم رساناهای iv-vi است. این نیم رساناها مدت بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی نظیرشان در اپتو الکترونیک مانند دیود های نور گسیل، دیود های لیزری، کلید زنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. برای تهیه فیلم های سلنید قلع با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیایی، رونهشتی باریکه مولکولی، الکتروشیمیایی، تبخیر و کندوپاش استفاده می شود. روش حمام شیمیایی یکی از این روشهاست که می تواند فیلم هایی با کیفیت بالا برای کاربرد در قطعات الکترونیکی تولید نماید. در این کار تجربی، وابستگی دمایی ضریب ثابت هال ، مقاومت ویژه ، رسانندگی الکتریکی و تحرک پذیری در لایه های نازک سلنید قلع که به روش حمام شیمیایی بر روی زیر لایه های شیشه ای و مسی تهیه شده اند، مورد بررسی قرار گرفت. نتایج تجربی نشان می دهد که با افزایش دما از 100 درجه کلوین تا 400 درجه کلوین، مقاومت ویژه لایه ها، کاهش پیدا می کند. در محدوده دمایی 100 تا 120 درجه کلوین تغییرات مقاومت ویژه با افزایش دما تقریبا یکنواخت ولی از 120 درجه کلوین تا 220 درجه کلوین به خاطر افزایش بیشتر تعداد حامل های بار، با افزایش دما، مقاومت ویژه سریعاً کاهش پیدا می-کند. اما بین 220 تا 400 کلوین به علت محدود بودن تعداد اتم های ناخالصی تقریبا ثابت است. به خاطر دارا بودن طبیعت نیم رسانایی، رسانندگی لایه های سلنید قلع با افزایش دما افزایش پیدا می کند و این افزایش در محدوده دمایی 120 تا 220 درجه کلوین سریع می باشد. برای اندازه گیری تحرک پذیری حامل ها نمونه های مختلفی انتخاب شد، ولی به دلیل این که در روش حمام شیمیایی امکان تهیه ی لایه با ضخامت بالا وجود ندارد و به همین دلیل مقاومت نمونه ها بالاست، اندازه گیری ضریب هال تغییرات ناچیزی را نشان داد.