سولفید کادمیوم (cds)از نیمه هادی های ترکیبی گروه های ii-vi با گاف انرژی پهن و مستقیم ev42/2 به دلیل نقش مهمی که در قطعات اپتوالکترونیک و پیل های فوتوولتایی دارد توجه ویژه ای را به خود جلب کرده است. در این پایان نامه، لایه های نازک نانوکریستال سولفید کادمیوم با استفاده از محلول های سولفات کادمیوم، تیواوره و آمونیاک به روش لایه نشانی حمام شیمیایی (cbd)بر روی زیرلایه های شیشه ای تهیه شده اند. تأثیر زمان و دمای لایه نشانی بر ساختار، مورفولوژی و خواص اپتیکی لایه-های نازک cds بررسی شد. الگوهای xrd نشان می دهند که لایه ها بلوری بوده وترکیبی از هر دو ساختار هگزاگونال و مکعبی را دارند. میکروسکوپ الکترونی روبشی(sem) برای بررسی مورفولوژی سطح لایه ها مورد استفاده قرار گرفت. طیف سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز ftir تشکیل نانوبلورهای سولفید کادمیوم به روش لایه نشانی حمام شیمیایی را تائید کرد. طیف سنجی نوری فرابنفش ـ مرئی uv-vis مورد مطالعه قرار گرفت. از مطالعه طیف عبوری در گستره nm300-1100 چگونگی تغییرات ضریب جذب، ضریب شکست و ثابت خاموشی نمونه ها بررسی شده میزان گاف انرژی نمونه ها در محدوده ev7/2-42/2 اندازه گیری شدند. نهایتا مشاهده شد که فیلم های تهیه شده سولفید کادمیوم در دمای c ْ75 و زمان لایه نشانی 5/3 ساعت دارای سطحی هموار، فشرده و بدون خلاء با تراگسیلندگی عالی در حد بالای طیف مرئی را از خود نشان می دهند.