در ساخت لایه نازک cuinse2 نتایج آنالیزهای کمی rbs و eds حاکی از مرجح بودن پیکربندیa نسبت به پیکربندیb با توجه به رشد 2درصدی سلنیوم در فاز نهایی است، که این را می‎توان به تامین اتمسفر فشار بالای سلنیوم در این حالت در مجاورت سطح پیش‎ماده‎های فلزی نسبت داد. این در حالی است که درصد مذکور را بازهم می‎توان با استفاده از محفظه‎های نیمه بسته افزایش داد. تاثیر مستقیم افزایش دما تا c ?560، در تقویت شدت پیک‎های مرجع اصلی بود که از یک سو افزایش بلورینگی ساختار و تک فازتر شدن ترکیب نهایی و از سوی دیگر از بین رفتن فازهای دوتایی را باعث شد. به واسطه یک توقف دمایی درc? 130پیش از آغاز مرحله سلنیوم‎دار کردن جهت آلیاژ سازی پیش‎ماده‎های فلزی، با توجه به تصاویر fesem لایه نازک‎های تخت‎تر و با انبساط حجمی کمتر ودر نتیجه چسبندگی بهتر حاصل شد. تحلیل نمودارهایi-v تحت تابش، گویای کاهش بازده نهایی در حالت استفاده از نانوسیمهای سیلیکونی در قیاس با ویفر سیلیکون در پیوند با لایه نازک cuinse2 است. به نظر میرسد که فضاهای بین نانوسیمها بخشی از اتمهای لایه‎ی اول را در خلال فرآیند کندوپاش میبلعند و با بهم‎خوردن استکیومتری نهایی لایه نازک از یک سو و نفوذ اتم‎ها در شبکه کریستالی سیلیکون از سوی دیگر و ایجاد مراکز گیرانداز، این کاهش بازده را باعث می‎شوند. در لایه نشانی حدودا 500 نانومتر لایه نازک zno بر روی نانوسیمهای سیلیکون و بررسی اثر طول نانوسیمها، افزایش طول هم بر تخلخل سطح زیر لایه نازک می‎افزاید و هم بر افزایش نقوص و پیوند‎های آزاد در سطح نانوسیم، که توامان در کاهش ولتاژ و جریان نهایی افزاره نقش دارند.