در ‎‎این پایان نام‎ه‎، تولید نانو ذرات و لایه های نازک سیلیکون آمورف توسط رسوب‎‎ گذاری بخار شیمیایی تقویت شده با پلاسم‎ا‎ (‎‎pecvd)‎‎‎ با روش اجزای محدود و همچنین روش سینتیک معادلات یونش بررسی می شود. گازهای زمینه ی موجود در رآکتور گاز سیلان و ‎گاز هیدروژن ‎ ‎‎‎‎(‎sih‎‎$‎_4‎ $‎ ‎‎, ‎h‎$‎_2‎$‎‎‎‎)‎ ‎ ‎‎‎است. اعمال یک میدان الکتریکی که با فرکانس رادیویی ‎‎‎‎‎rf‎‎‎ تغییر می کند، سبب برخورد الکترون ها با ‎‎مولکول ها و اتم های گاز زمینه می گردد‏ و به دنبال آن واکنش هایی رخ می دهد که منجر به تولید نانو ذرات سیلیکون می گردد. رسوب گذاری نانو ذرات تولید شده بر روی زیر لایه ها، سبب ایجاد و در نتیجه رشد لایه های نازک سیلیکون می شود. لایه های نازک سیلیکون تولید شده در قطعات الکترونیکی، سلول های خورشیدی و صفحه نمایش های تخت کاربرد دارد. در این پایان نامه، با حل معادلات شاره در محیط رآکتور، تولید نانو ذرات سیلیکون‏ و اثر تغییرات دما‏، فشار‏، فرکانس‏ و ولتاژ بر تولید گونه های مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است.