نام پژوهشگر: نیما داودزاده محبوب صدیق

رشد عمودی نانو لوله های کربنی باهدف ساخت ترانزیستورهای گسیل میدانی
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی امیرکبیر(پلی تکنیک تهران) - دانشکده مهندسی برق 1387
  نیما داودزاده محبوب صدیق   حسن غفوری فرد

در فصل اول به بررسی مطالب مربوط به شناخت نانولوله های کربنی و مفاهیم اولیه نانو لوله ها پرداخته شده است. در این بخش با انواع نانولوله ها و بردارهای پایه و باندهای الکتریکی نانولوله های کربنی آشنا شده و در ادامه انواع روش های ساخت از جمله روش به کار گرفته شده در این پایان نامه آورده شده در انتها خواص مختلف نانولوله ها و همچنین کاربرد آنها به عنوان انگیزه اصلی پایان نامه بیان شده است. در فصل دوم مکانیزم های گسیل الکترونی بیان شده و مشخصا راجع به گسیل میدانی بحث شده است. این فصل بیشتر به بررسی فعالیت های انجام گرفته شده در زمینه گسیل میدانی نانو لوله های کربنی می پردازد و در بعضی موارد نتایج حاصل از شبیه سازی های پایان نامه نیز آورده شده اند. در طول این فصل مدل فولر نوردهایم آورده شده. فصل سوم به توضیح اجمالی در مورد روش رشد پلاسمای افزایشی و شرح قسمت های مختلف دستگاه پرداخته و در ادامه مراحل رشد نانولوله ها تشریح شده است. در انتها عوامل موثر در رشد نانولوله ها مورد بررسی قرار گرفته اند. فصل چهارم به شرح آزمایشهای انجام شده در این پایان نامه و اندازه گیری و بررسی عوامل موثر در گسیل میدانی از نانولوله های کربنی اختصاص داده شده است. فصل پنجم به امکان سازی ساخت ترانزیستورهای گسیل میدانی و روش های مختلف ساخت آن از جمله روش استفاده شده در دانشگاه تهران پرداخته و در ادامه نتایج حاصل از شبیه سازی ساختار حاوی گیت (ترانزیستور گسیل میدانی) آورده شده اند. فصل ششم به جمع بندی و پیشنهاد برای کارهای آینده می پردازد.