سیلیکون یکی از مهم ترین مواد نیمه رسانا است که در مورد آن تحقیقات بسیار زیادی صورت گرفته و در حال حاضر نیز در حال انجام است. یکی از موضوعات جالب در این خصوص تغییر خصوصیات سطحی سیلیکون به منظور بدست آوردن کاربرد های متفاوت از این ماده است. در این راه ایجاد میکروساختار منظم بر سطح سیلیکون با استفاده از لیزر در حضور گازهای هالوژن دار از موضوعات مطرح شده در سال های اخیر است. در این کار ما با استفاده از نتایج تجربی تکنیکeis (اسپکتروسکوپی امپدانس الکتریکی) بر روی میکروساختار ایجاد شده برسطح سیلیکون با لیزر اگزایمرarf در مجاورت گاز?sf?_6 درفشارهای مختلف و بر اساس نظریه ی موجود خواص مهمی از این میکروساختار از قبیل زمان واهلش حامل ها، تحرک پذیری و ضریب انتشار انیشتین را بدست آورده ایم.