کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزاره?هایی است که در تکنولوژی soi ساخته می?شوند. روش?های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره?های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک?های اضافی از کاربردی?ترین روش?های افزایش ولتاژ شکست می?باشند. با توجه به اینکه کاهش میدان الکتریکی موجب افزایش ولتاژ شکست می?شود در نتیجه با کم کردن میدان الکتریکی در کانال می?توان ولتاژ شکست را افزایش داد. یک روش برای کاهش میدان الکتریکی اصلاح ناحیه تخلیه می?باشد. در این پایان?نامه با ارائه ساختار جدید به اصلاح ناحیه تخلیه پرداخته شده است. در این ساختار به علت این که جریان به مقدار جزئی کاهش می?یابد در نتیجه توان خروجی آن نیز به صورت چشم گیری افزایش یافته است. این روش نیز با توجه به بهبود مشخصات فرکانسی، می?توان از آن در کاربردهای فرکانس بالا (گیگا?هرتز) نیز استفاده کرد.