نام پژوهشگر: امید خاکپور

ردیابی و تعیین برخی خصوصیات بیولوژیکی و مولکولی ویروس نقطه نکروتیک میخک (cnfv) در گلخانه های تولید میخک شهرستان محلات
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده کشاورزی 1392
  امید خاکپور   حمید رجبی معماری

گل میخک dianthus caryophillus توسط ویروس های متعددی مورد حمله قرار می گیرد که برخی از آن ها تنها میخک و گونه های معدودی از جنس dianthusرا آلوده می کنند. از جمله این ویروس ها ویروس نقطه نکروتیک میخک (cnfv) می باشد که با کاهش مقاومت، بهره وری و کیفیت گیاه موجب کاهش سود و در نهایت خسارت اقتصادی می شود.به منظور بررسی، ردیابی و تعیین پراکنش ویروس نقطه نکروتیک میخک طی بهار سال 91 تعداد 220 نمونه از گلخانه های تولید میخک شهرستان محلات جمع آوری شد. نمونه برداری به دو صورت جمع آوری گیاهان دارای علائمی از جمله نقاط ارغوانی مایل به قرمز یا نوار های سفید مایل به خاکستری روی برگ ها که برگ های پیر تر دچار نکروز شده و در حال از بین رفتن هستند و همچنین به صورت تصادفی جهت تعیین پراکنش ویروس انجام شد. برای شناسایی عامل این ویروس از روش های سرولوژِیکی indirect- elisa و مولکولی rt-pcr استفاده شد و نهایتاً در گیاهان بیمار با علائم مذکور، ویروس نقطه نکروتیک میخک تشخیص داده شد. باندی با اندازه bp670 که تکثیر قطعه ای از ژن پروتئین hsp 70 ویروس را نشان می داد در واکنش pcr مشاهده شد. وجود این ناحیه تکثیر شده در نمونه های آلوده، نشان از آلودگی به ویروس مذکور در گلخانه های مورد بررسی دارد. بر اساس نتایج بدست آمده از 6 گلخانه مورد بررسی، متوسط میزان پراکنش ویروس cnfv در شهرستان محلات در این سال 45/35 درصد برآورد شد

تاثیر اتلاف بر انتشار امواج در فرامواد اپتیکی
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1392
  امید خاکپور   مرتضی محسنی

در این پایان نامه انتشار امواج الکترومغناطیسی در فرامواد با در نظر گرفتن پدیده اتلاف بررسی شده و به طور خاص بحث بر روی یک محیط تک محوره است؛ یعنی محیطی که دارای ویژگی تعیین کننده وجود یک محور تقارن متمایز به نام محور نوری می باشد. با در نظر گرفتن ضرایب دی الکتریک و تراوایی مختلط، نشان داده ایم که رابطه پاشندگی در یک محیط غیراتلافی به صورت های بیضی، هذلولی تک ورق و هذلولی دو ورق است، ولی این نظم دریک محیط اتلافی ازبین میرود. با بررسی سطح پاشندگی، نواحی میرایی و غیر میرایی در حالت های اتلاف و غیر اتلاف مشخص می شود. به طور کلی با انتخاب های مختلفی از علامت عناصر تانسورهای گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی، شانزده حالت ممکن برای انتشار در یک محیط الکترومغناطیده غیر اتلافی به دست می آید. در اتلاف تعداد حالت ها کاهش یافته و به هشت حالت می رسد. وضعیت های وجود دارد که برای قسمت های موهومی غیر اتلاف روابط مجاز نداریم ولی برای همان وضعیت در حالت اتلاف جواب وجود دارد.