از دلایل توسعه پذیر بودن روشهای رسوب بخار شیمیایی (cvd) ، می توان به توان تولید لایه هایی با تنوع زیاد، به صورت فلز و هم چنین نیمه رسانا و نیز لایه هایی با ترکیبات آلی و غیر آلی و دارای خواص مطلوب را اشاره کرد.در این پروژه دو روش کلی زدایش یا همان سونش خشک و تر مقایسه شده است چرا که صنایع الکترونیک نیازمند روش جدیدی می باشند که علاوه بر اینکه میزان آلودگی آن کم باشد به محیط زیست نیز آسیب نرساند به علاوه بتواند پروسه های با کیفیت بالایی را تولید کند.تستهایsemو afm وایدکس بر روی نمونه های تولید شده با هر دو روش زدایش گرفته شده است و همه بیانگر این مطلب می باشد که نمونه هایی که با روش زدایش خشک و توسط روشplasma etching بدست امده است کارآمدتر میباشد از سایر نمونه ها.