در این پایان نامه قرار دادن نانوذرات مغناطیسی fe3o4 (mnps) روی نانوصفحات گرافن اکسید (gons) از سه مسیر متفاوت انجام گرفته است. در هر یک از این روش ها اتصال از نوع کووالانسی و شامل دو مرحله است که در آنها ابتدا fe3o4 توسط کاتکول آمین دوپامین da)) اصلاح و سپس کربوکسیلیک اسید نانوصفحات گرافن اکسید با تشکیل انیدرید، آسیل کلرید و ایمید فعال شده و با آمین انتهاییfe3o4/da واکنش می دهد. اتصال کووالانسی نانوذرات مغناطیسی fe3o4 به نانوصفحات گرافن اکسید به روش های ft-ir ، xrd، tem و tga تایید شده است. خواص مغناطیسی fe3o4/da/gonsبا استفاده از مغناطیس سنج نمونه مرتعش (vsm) مشخصه یابی گشت. میزان اتصال da/fe3o4 به نانو صفحات گرافن اکسید با استفاده از منحنی tga برای مسیرهای ایمید، انیدرید و آسیل کلرید به ترتیب 44، 36 و 19 درصد تخمین زده شد. همچنین ترتیب میزان اتصال da/fe3o4 به نانو صفحات گرافن اکسید از طریق کاهش منظم در مقدار ms در منحنی های vsm و کاهش در شدت پیک های xrd و با استفاده از تصاویر tem، از سه مسیر عامل دار کردن کووالانسی مورد بررسی قرار گرفت.