از دلایل توسعه پذیر بودن روشهای رسوب بخار شیمیایی (cvd) ، می توان به توان تولید لایه هایی با تنوع زیاد، به صورت فلز و هم چنین نیمه رسانا و نیز لایه هایی با ترکیبات آلی و غیر آلی و دارای خواص مطلوب را اشاره کرد.در این پروژه دو روش کلی زدایش یا همان سونش خشک و تر مقایسه شده است چرا که صنایع الکترونیک نیازمند روش جدیدی می باشند که علاوه بر اینکه میزان آلودگی آن کم باشد به محیط زیست نیز آسیب نرساند به علاوه بتواند پروسه های با کیفیت بالایی را تولید کند.تستهایsemو afm وایدکس بر روی نمونه های تولید شده با هر دو روش زدایش گرفته شده است و همه بیانگر این مطلب می باشد که نمونه هایی که با روش زدایش خشک و توسط روشplasma etching بدست امده است کارآمدتر میباشد از سایر نمونه ها.

در این سال ها مواد آلی بسیاری به منظور افزایش کارآیی ترانزیستورهای اثر میدانی آلی گزارش شده اند که بیشتر در بهبود کارآیی گیت دی الکتریک ها متمرکز شده اند. هدف اصلی بررسی های پژوهشگران در یافتن مواد آلی کامپوزیتی به ویژه هیبریدهای آلی / غیر آلی استوار بوده تا معلوم شود آیا مواد مزبور قابلیت لازم را دارند تا به عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی و آلی بکار روندیا خیر. در این مقالهگیت دی الکتریک تا با سنتز هیبریدی از اکسید سیلیکون و پلیمر ونیل پیرولیدن و بررسی ویژگی های نانو ساختاری و الکتریکی آن با تکنیک میکروسکوپ نیروی اتمی، الکترون پیمایشی و gps132a دریافتیم که نمونه با مقدارpva بدلیل برخورداری از ثابت دی الکتریک و کیفیت ساختاری بهتر و اتلاف انرژی کم تر می تواند گزینه ی مناسبی در تولیدات آلی ترانزیستور اثر میدانی باشد. و باتصاویر semوafm به بهترین ماده از نمونه های مورد بررسی از طریق غلظت دست پیدا کنیم.