در این تحقیــق از نظریه سیالی برای بر همکنش لیزر الکترون آزاد استفاده می شود. رابطه پاشندگی لیزر الکترون آزاد در میدان مغناطیسی ویگلر پیچشی با هدایت کانال یونی و با در نظر گرفتن خود-میدان ها در رژیم رامان به دست آورده می شود و به صورت عددی و تحلیلی مورد بررسی قرار می گیرد. مطالعات ما نشان دهنده این است که با در نظر گرفتن خود-میدان ها، نرخ رشد امواج در مسیرهای گروه و در مقایسه با حالت بدون خود-میدان ها به ترتیب کاهش و افزایش می یابد.