با توجه به کاربرد وسیع نانوساختارهای نیم رسانای zno در ساخت وسایل اپتوالکترونیکی، حسگرها، ذخیره ی انرژی و هم چنین استفاده ی آن به عنوان کاتالیست، این موضوع انتخاب شد. آلایش ناخالصی در نیم رساناها با عناصر مختلف بر خواص فیزیکی مثل خواص الکتریکی، اپتیکی، مغناطیسی و ساختاری به شدت اثر می گذارد که برای کاربردهای عملی بسیار مهم است. به طور کلی عناصر مورد نظر که به عنوان آلایش در zno استفاده می شوند یا جانشین zn و یا جانشین o می شوند. تاکنون روش های متنوعی برای ساخت نانوساختارهای zno با آلایش عناصر مختلف استفاده شده است ولی تبخیر حرارتی به عنوان روشی ساده و کم هزینه می تواند روشی مناسب برای رسیدن به این هدف باشد. ابتدا نانوسیم های zno خالص بر روی زیرلایه ی si واقع در دمای oc450-400 و فلوی sccm50 با روش تبخیر حرارتی به خوبی رشد داده شد. به منظور تولید نانوسیم های zno آلاییده به فلوئور از naf به عنوان منبع فلوئور به دو روش در رشد نانوسیم ها استفاده شد. در روش اول پودر naf را با پیش ماده ها (zno+c) مخلوط شد و نانوسیم ها بر روی زیرلایه ی واقع در دمای oc450-400 و فلوی sccm50 رشد داده شدند. بررسی های حاصل از آنالیز الگوهای پراش اشعه ایکس (xrd) و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) برای این حالت نشان داد که نانوسیم ها به خوبی رشد نکرده اند. بنابراین از روش دوم که در آن naf و پیش ماده ها (zno+c) جدا از هم قرار داده می شوند، استفاده شد. آنالیز xrd، تصاویر sem و طیف سنجی pl نشان داد که رشد نانوسیم های zno آلاییده به فلوئور بر روی زیرلایه ی واقع در دمای oc450-400 و فلوی sccm50 برای نسبت مولی (molzno: molnaf) 1: 15 بهینه می شود.