افزایش روز افزون تقاضا برای کاربرد های مخابرات بیسیم سازندگان را برآن داشت که ic های کوچکتر ارزانتر و با توان مصرفی کمتر تولید کنند.در نتیجه استفاده از تکنولوژی cmos جهت پیاده سازی بلوک هایrf نظیره بلوک ضرب کننده (mixer) ، نوسان کننده کنترل شونده با ولتاژ (vcos) تقویت کننده با نویز کم (lnas) به سرعت افزایش یافت. مدارت rf باید طوری طراحی شوند که در حضور مدارات دیجیتالی دارای نویز نیز عمل کنند. بلوک vco یکی مهمترین اجزاء تشکیل دهنده مدارات rf میباشد. این پایان نامه بر روی یک lc vco بسیار خطی با فرکانس مرکزی 4ghz و thd<-65db تمرکز میکند. این vco در پروسه 0.18µm استاندارد cmos طراحی شده است که با جریان 5m و با فرکانس خروجی 4.34ghz میباشد. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزار hspice و برای تکنولوژی فایل tsmc در پروسه 0.18µm، بیان کننده سرعت بالا و عملکرد صحیح سیستم طراحی شده می باشند.