امروزه در محیط رقابتی دانشگاه ها، اساتید به عنوان سرمایه اساسی در کنار منابع فناوری و مالی و غیره مطرح بوده و در حقیقت رکن اساسی هر دانشگاه در برآورده ساختن استراتژی ها و حصول اهداف می باشند. اهمیت استراتژیک اساتید تا حد زیادی وابسته به خلق تمایز رقابتی است و بهره گیری موثر از منحصر بفردی و ارزش استراتژیک آنان در جهت دستیابی به اهداف آموزشی دانشگاه، استراتژی های مدیریت منابع انسانی گوناگونی را نیازمند است. در این پژوهش تلاش شده است تا به بررسی تاثیر قابلیت های استراتژیک اساتید و استراتژی های مدیریت منابع انسانی در دانشگاه های دولتی و غیر دولتی استان مازندران پرداخته شود. روش انجام پژوهش، توصیفی و از نوع همبستگی است. جامعه آماری این پژوهش اساتید دانشگاه های دولتی و غیر دولتی استان مازندران (2698 نفر) است. از نمونه گیری تصادفی طبقه ای برای نمونه گیری استفاده شد. حجم نمونه 337 نفر تعیین شد. در این پژوهش از پرسشنامه لپک و اسنل (2002) برای سنجش قابلیت های استراتژیک و از پرسشنامه لپک و اسنل (2002) و جوادین و حسین زاده (1387) برای سنجش استراتژی های مدیریت منابع انسانی استفاده شده است. نتایج تحلیل عاملی تاییدی حاکی از داشتن روایی سازه پرسشنامه است. پایایی پرسشنامه های قابلیت های استراتژیک و استراتژی های مدیریت منابع انسانی با استفاده از ضریب آلفای کرونباخ به ترتیب 0/86، 83 /0 تعیین شد. داده ها با استفاده از نرم افزارspss17 و lisrel8.5 مورد آزمون قرار گرفت. فرضیه های پژوهش با استفاده از روش های همبستگی اسپیرمن، تحلیل مسیر مورد بررسی قرار گرفت. یافته های پژوهش حاکی از آن است که میان قابلیت های استراتژیک و استراتژی های مدیریت منابع انسانی رابطه ی مستقیم و معناداری وجود دارد. همچنین آزمون فرضیه ها نشان داد که ارزش استراتژیک بر استراتژی های مدیریت منابع انسانی و همچنین منحصربفردی بر استراتژی های مدیریت منابع انسانی تاثیر معناداری دارد. و در نهایت مدل پژوهش مورد تایید قرار گرفت.

با توجه به کاهش ابعاد وسایل الکترونیکی به منظور بهبود عملکرد آن ها، نیاز به مدلسازی حرارتی اجزای الکترونیکی همچون ترانزیستورهای نیمه هادی حس می شود. از طرف دیگر با کوچک شدن ابعاد سیستم و با توجه به عدم اعتبار قانون فوریه به عنوان مدل کلاسیک انتقال حرارت، مدل تأخیر فاز دوگانه به همراه شرط مرزی پرش دمایی به عنوان جایگزین مناسبی برای قانون فوریه در سیستم های با ابعاد نانو ارائه شده است. در این رساله به منظور ارائه مدل کاملاً غیرخطی تأخیر فاز دوگانه برای حل مسائل حرارتی در ابعاد نانو، هدایت حرارتی گذرا در حالت یک بعدی در یک فیلم نازک آرگون جامد با خواص حرارتی وابسته به دما مورد مطالعه قرار گرفته است. آرگون جامد یکی به دلیل اینکه رسانش انرژی در آن تنها از طریق فونون ها صورت می گیرد و دوم اینکه پتانسیل بین مولکولی موجود و استفاده شده برای این ماده به منظور شبیه سازی دینامیک مولکولی نتایجی بسیار نزدیک به نتایج تجربی ارائه می دهد، مورد توجه است. نتایج به دست آمده از مدل دی-پی-ال برای حالت های مختلف فیلم آرگون جامد با نتایج حاصل از شبیه سازی دینامیک مولکولی مورد مقایسه قرار گرفته اند. دیده شد که ترکیب مدل تأخیر فاز دوگانه با شرط مرزی دمایی ترکیبی قادر است تا توزیع دما و شار حرارتی به دست آمده از شبیه سازی دینامیک مولکولی را پیش بینی کند. نتایج مدلسازی افزایش عدد نادسن را تا نزدیکی مقدار 3/86 در نزدیکی مرز سمت راست برای سیستم با ظرفیت حرارتی ویژه حجمی وابسته به دما نشان داد. در قسمت دوم رساله، توزیع دما و شار حرارتی و نیز وضعیت نقطه داغ در یک ترانزیستور موسفت در سه حالت با شرایط مرزی و تولید حرارت حجمی نزدیک به یک ترانزیستور واقعی، توسط مدل تأخیر فاز دوگانه بررسی شده و تطابق نتایج با داده های اتمی موجود برای بعضی حالت ها مورد بررسی قرار گرفته است. مدل ارائه شده در این بخش قادر است وابستگی خواص حرارتی ترانزیستورها به دما و اندازه را نیز در نظر بگیرد. به دست آمد که در نظر گرفتن وابستگی به اندازه برای رسانندگی گرمایی پرش دمایی را به دلیل کاهش عدد نادسن کم می کند. همچنین سرعت انتشار شار حرارتی برای سیستم با رسانندگی گرمایی وابسته به اندازه کم تر از سیستم با رسانندگی گرمایی حجمی به دست آمد. در نظر گرفتن وابستگی دمایی برای پارامترهای گرمایی نیز نتایج مربوط به توزیع دما و شار حرارتی را کاملاً تغییر می دهد به طوری که سرعت انتشار افزایش و در نتیجه آن زمان رسیدن به حالت پایا کم تر می شود. نتایج همچنین نشان دادند که برای هندسه سوم همه ی مطالعات پیشین با در نظر گرفتن خواص حجمی سیلیکون مقدار بیشینه افزایش دما را کم برآورد کرده اند. در قسمت پایانی رساله ابتدا مروری کلی بر نسل جدید ترانزیستورهای موسفت انجام شده است و سپس ترانزیستورهای موسوم به موسفت های با ضریب دی الکتریک بالا و گیت فلزی مورد مطالعه قرار گرفته اند. این سری از ترانزیستورها در ادامه روند تکنولوژی کاهش اندازه موسفت ها با توجه به این که ترانزیستورهای رایج سیلیکونی از حدی نمی توانند کوچک تر شوند، معرفی شدند. در این رساله مواد دی الکتریک مختلفی که در موسفت های نسل جدید مورد توجه قرار گرفته اند بررسی می شوند. محاسبات انجام شده مناسب ترین ماده دی الکتریک برای استفاده در این نوع از ترانزیستورها از دیدگاه حرارتی را زیرکونیم دی اکساید یا همان زیرکونیا معرفی می کند.

در این پژوهش تلاش شده است فرهنگ، باور ها و آیین های منطقه ی گله دار جمع آوری و تدوین گردد. برای شروع به کار ابتدا ورود به مبحث اصلی لازم می باشد. در باب تاریخچه ی گله دار به وجه تسمیه، سابقه ی آن و افرادی که در این منطقه سکنی گزیده اند، اشاره گردد، بیان شرایط جغرافیایی، آب و هوای گله دار اگر چه به ظاهر از موضوع بحث خارج می نمود ولی احساس شد هر چند به صورت اجمال بدان ها اشاره گردد. چون اساس فرهنگ و تاریخ هر قومی بر ادبیات، علما و دانشمندان آن قوم متکی می باشد، بخشی از این پژوهش به تاریخچه ی فرهنگی و آثار علما و دانشمندان گله دار اختصاص یافته است. فصل سوم پایان نامه که مهم ترین فصل آن است به فرهنگ و آداب و رسوم تخصیص داده شده است، این فصل خود به بخش های مختلف تقسیم شده ابتدا آداب و رسوم اجتماعی هم چون اعیاد و آیین های مربوط بدان ها به صورت جداگانه توضیح داده شده است. و هم چنین در آخر این پایان نامه به گویش و لهجه ی مردم گله دار اشاره شده است که برای خوانندگان غیر بومی بسیار جذاب و بدیع می نماید؛ البته باید بدانید با توجه به مجال کم و حجم زیاد کاری، نگارنده با عشق و علاقه و حساسیت لازم و تحمل مشکلات به تدوین این رساله پرداخته است.