در این پایان نامه ما با ارائه روشهای پیشنهادی، نخست ضریب کیفیت مدار را افزایش دادیم، سپس با ارائه شروطی، روشهای کاهش نویز ولتاژ را پیشنهاد کردیم، در نهایت، مصرف توان را تا حد امکان کاهش دادیم. برای تحقق این اهداف، سه مدار بر پایه ساختار (fai) flipped active inductor پیشنهاد شد. این ساختار با وجود داشتن محدوده سلفی بالا و استفاده از تنها دو ترانزیستور در ساختار اصلی خود، مصرف توانی حدود mw 9 دارد و ضریب کیفیت آن نیز بسیار پایین می باشد. در ساختار پیشنهادی اول، ترانزیستور فیدبک بصورت تاشده با ترانزیستور مسیر مستقیم قرار داده شد که با وجود بهبود خطینگی نسبت به حالت fai، ضریب کیفیت آن تغییر زیادی نکرد. در ساختار پیشنهادی دوم، با اضافه کردن یک ترانزیستور بصورت انتقال دهنده سطح در مسیر فیدبک، که خطینگی را افزایش داد، مقاومت سری کاهش یافته که در نتیجه مصرف توان، ضریب کیفیت و مقدار اندوکتانس به ترتیب mw1، 218 و nh 6/9 بدست آمد. در ساختار پیشنهادی سوم، یک ترانزیستور کمکی بصورت کاسکود در مسیر فیدبک قرار داده شد که سبب افزایش بهره فیدبک و کاهش مقاومت سری گردید. در این حالت مصرف توان و ضریب کیفیت، به ترتیب mw2 و 4406 و مقدار اندوکتانس نیز nh 5/7 بدست آمد. در پایان، مدار سلف اکتیو پیشنهادی سوم به دلیل دارا بودن ضریب کیفیت بالا و نیز خطینگی بهتر نسبت به حالت های قبل، جهت بررسی عملکرد شبکه تطبیق، در خروجی یک تقویت کننده توان کلاس e اعمال شد. نتایج نشان می دهد که تقویت کننده با شبکه تطبیق، در سطوح پایینتر توان ورودی، دارای بازده توان %70 و توان خروجی dbm 15 با بهره توان db22 خواهد بود.