امروزه سیستم های تولید توان پالس کاربرد بسیار گسترده ای در فعالیت های پژوهشی و آزمایشگاهی، نظامی، پزشکی و موارد دیگر دارند. یکی از بهترین منابع توان پالس برای این کاربردها مولدهای تراکم شار مغناطیسی می باشند. این مولدها از نظر ساختار و کاربرد تنوع زیادی دارند که اصول کار همه آنها بر مبنای اصل بقای شار استوار است. در این بین مولدهای تراکم شار مغناطیسی انفجاری به خاطر قابلیت فوق العادهای که در تولید انرژی بسیار زیاد در مدت زمان کوتاه دارند بهترین انتخاب بعنوان سیستم تولید توان پالس می باشند. در این پایان نامه سعی شده است به مطالعه و بررسی اصول عملکرد مولدهای تراکم شار مغناطیسی انفجاری تغذیه شونده به صورت غیرمستقیم پرداخته شود. چون فرکانس کاری مولدهای تراکم شار مغناطیسی انفجاری بسیار بالا می باشد ظرفیت خازنی پراکندگی سیم پیچ های کویل های مولد افزایش می یابد و به تبع آن پاسخ فرکانسی کویلهای این مولدها در فرکانسهای بالا در حد چند مگا هرتز، متفاوت خواهد بود. در ادامه لازم است برای بررسی دقیق رفتار مولد، با استفاده از مدار معادل الکتریکی آن و با درنظر گرفتن ظرفیتهای خازنی پراکندگی سیم پیچ ها، مدلسازی و شبیه سازی مولد انجام پذیرد. در پایان تاثیر ظرفیت خازنی پراکندگی بر جریان های الکتریکی تغذیه و بار مولد مورد بحث و بررسی قرار می گیرد و راهکارهای کاهش ظرفیت های خازنی پراکندگی و بهبود رفتار مولد ارائه می شود.