در این تحقیق، تاثیر تعداد و نحوه¬ی قرارگیری انواع ناکاملی¬ها از جمله: مثلثی، مربعی و دایره¬ای بر روی سازوکار بازگشت مغناطش و انرژی وامغناطیدگی یک نانو ذره¬ی مغناطیسی از جنس پرمالوی به¬وسیله¬ی نرم¬افزار oommf صورت می¬گیرد. فرآیندهای تغییر و بازگشت مغناطش یک نانو نقطه¬ی مغناطیسی به طرز قرارگیری و موقعیت ناکاملی¬ها وابسته است. فرآیند بازگشت مغناطش با وارد شدن ناکاملی، به خلق و نابودی هسته¬گذاری، گیرافتادگی و رهاشدگی حالت گردابی بستگی دارد. در 4 ناکاملی مثلثی، هسته¬گذاری حالت گردابی درون قرص مغناطیسی دیرتر اتفاق می¬افتد و قرص تمایل دارد که مدت زمان بیش¬تری در حالت اشباع قرار گیرد. نشان داده می¬شود که تغییرات در میدان هسته¬گذاری و وادارندگی به علت رقابت بین انرژی وامغناطیدگی و تبادلی است که می¬توان این تغییرات را از نمودار انرژی وامغناطیدگی استخراج کرد. قرص مغناطیسی در حضور ناکاملی دایره¬ای در اکثر فاصله¬ها، نسبت به ناکاملی مربعی و مثلثی در همان فاصله، میدان وادارندگی بزرگ¬تری را به خود اختصاص می¬دهد.