دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است. توزیع بار در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم در کانال بهبود نسبی یافته و این امر به وسیله کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در جانب درین رخ داده است، در نتیجه ولتاژ شکست به شکل ملموسی بهبود یافته است. به منظور کاهش تجمع میدان الکتریکی یک صفحه ی میدان در لایه ی اکسید تعبیه و به سورس متصل گردیده است. مشخصات الکتریکی جریان مستقیم و پاسخ فرکانسی ساختار مسفت با صفحه ی میدان متصل به سورس بر روی اکسید توسط شبیه سازی عددی دو بعدی بدست آمده و نتایج حاصل با یک ترانزیستور مسفت با ساختار مرسوم به منظور بررسی معنادار نتایج مقایسه شده است. صفحه میدان متصل به سورس تأثیر قابل توجهی به روی ولتاژ شکست مسفت می گذارد، ولتاژ شکست ساختار پیشنهاد شده 84% نسبت به ساختار مرسوم بهبود یافته است. با وجود کاهش جزئی جریان اشباع درین ،میزان حداکثر چگالی توان خروجی 37% افزایش یافته است. به علاوه میزان خازن گیت – درین (cgd) 70% کاهش یافته است که این مهم موجب افزایش حداکثر بهره ی قابل دسترس به میزان db5 در فرکانس ghz 2 می شود. بنابراین استفاده از صفحه ی میدان مدفون در لایه ی اکسید، بهبود مشخصات الکتریکی جریان مستقیم و پاسخ های فرکانسی مطلوب تری را نسبت به ساختار مرسوم محقق می نماید.