در این پایان نامه، در مرحله ی اول یک موجبر بلور فوتونی تخت با سلول واحدی متشکل از سه لایه ی متفاوت دی الکتریک بدون اتلاف را در نظر می گیریم. با مدلسازی این موجبر با خطوط انتقال، بازتابش از یک ساختار متناوب نیمه نامحدود را با استفاده از مفهوم خطوط انتقال و روابط تبدیل امپدانس به دست می آوریم. آنگاه معادله ی مشخصه ی موجبر را بر اساس شرط تشدید عرضی در هسته ی آن محاسبه و تغییرات ثابت انتشار بهنجار شده را بر حسب طول موج نور فرودی رسم می کنیم. همچنین، از معادلات ماکسول و اعمال شرایط مرزی روی مولفه های مماسی میدان های الکتریکی و مغناطیسی در به دست آوردن میدان های مدهای انتشاری استفاده می کنیم. در مرحله ی بعد، یک چندلایه ایِ دی الکتریکِ تختِ بدون اتلاف (بلور فوتونی تخت) را در نظر گرفته و ابتدا با تغییر در ضرایب شکست و ضخامت هر یک از لایه های تشکیل دهنده ی آن، تغییرات پهنای نوار گاف آن را برای تابش عمودی مورد بررسی قرار می دهیم. سپس، به دلیل اینکه بجز در تابش عمودی، پهنای نوار گافها برای امواج tm نسبت به امواج te باریکتر است، و نیز برای دستیابی به بازتابش کلی همه سویه، این نوار گاف tm است که پهنای باند بازتاباننده ی همه سویه را مشخص می کند، به بررسی تغییرات پهنای نوار گاف فوتونی نسبت به تغییرات ضریب شکست و ضخامت لایه ها و زاویه ی فرودی در تابش مایل tm می پردازیم.