چکیده: در این پروژه نانوسیم¬های مغناطیسی ni در قالب حفره¬دار آلومینا رشد داده شد. ابتدا نانوحفره¬های منظم با آرایش شش گوشی با قطرnm 30و فاصله بین حفره¬ای nm 100، با روش آندایز دو مرحله¬ای ساخته شدند. از آنجا که کیفیت و چگونگی رشد نانوسیم¬ها تحت تأثیر لایه سدی آلومینا قرار می¬گیرد، به منظور بهینه سازی شرایط الکترونهشت دماهای مختلف (8، 16، 24 و 32 درجه سانتیگراد) برای لایه سدی واثر آن بر خواص مغناطیسی و میکروساختار نانوسیم¬ها مورد بررسی قرارگرفت. همچنین اثر زیرلایه مس و جریان¬های الکترونهشت متفاوت (5، 10، 15 و 20 میلی¬آمپر) بر بهره الکترونهشت و میکروساختار و خواص مغناطیسی نانوسیم¬های ساخته شده بررسی شد. مطالعات نشان داد که نهشت نانوسیم¬های نیکل به دمای لایه سدی و جریان الکترونهشت وابسته است و زیرلایه خواص مغناطیسی و ساختاری نانوسیم¬ها را به شدت تغییر می¬دهد. بهینه شرایط الکترونهشت مربوط به نمونه¬های ساخته شده با استفاده از زیرلایه مس با دمای 24 درجه سانتیگراد و جریان الکترونهشت 20 میلی¬آمپر بودند. بیشینه وادارندگی و مغناطش اشباع برای این نمونه به ترتیب برابر است با oe 1091و a.u 090/0. همچنین آنالیز xrd نشان داد که تغییر دمای لایه سدی و جریان الکترونهشت میزان بلورینگی نانوسیم¬ها را بهبود می¬بخشد. کلمات کلیدی: نانوسیم¬های مغناطیسی ni، آندیزاسیون نرم، زیرلایه، الکتروانباشت پالس متناوب، دمای لایه سدی