مخابرات رادیویی فراپهن باند (uwb) یک تکنولوژی برای انتقال و دریافت اطلاعات کد شده و ضربه¬های الکترومغناطیسی است که از مزایای آن می¬توان به انتقال سیگنال دیجیتال با نرخ بالای داده همراه با مصرف توان بسیار کم، پیچیدگی کم¬ و امنیت بالا اشاره کرد. به دلیل پیشرفت سریع مخابرات بی¬سیم، پیاده¬سازی سیستم¬های درون-تراشه¬ای (soc)، نیازمند عملکرد خوب، تکنولوژی مجتمع¬سازی بالا و هزینه کم می¬باشد. در این میان، تقویت¬کننده کم¬نویز (lna)، یک بلوک اساسی در گیرنده¬های rf به¬شمار می¬رود و نقش مهمی را در زنجیره گیرنده بی¬سیم ایفا می¬کند. در اینجا ساختار جدیدی از تقویت¬کننده کم¬نویز بر پایه سلف فعال به منظور بهینه¬سازی عملکرد نویز و سطح مصرفی (lna) فراپهن باند گیت-مشترک با gm افزایش یافته معرفی شده است. برای افزایش ترارسانایی lna، یک طبقه سورس-مشترک در مسیر فیدبک استفاده شده است. همچنین سلف غیرفعال درون تراشه¬ای بزرگ موردنیاز در طراحی lna، توسط یک سلف فعال جایگزین شده است که این موضوع مساحت کل تراشه lna پیشنهادی را به¬میزان قابل ملاحظه¬ای کاهش می¬دهد. ساختار پیشنهادی این تقویت¬کننده در تکنولوژی mµ 18/0 استاندارد cmos طراحی و شبیه¬سازی شده است. نتایج نشان می¬دهند که lna پیشنهادی به مقادیر بهره توان مستقیم و مسطح (s21)،db 95/0±25/12، ایزولاسیون معکوس (s12)، کمتر از db 56-، تلفات بازگشتی ورودی (s11)، کمتر از db 18/8- و عدد نویز db 5-67/4 در کل محدوده فرکانسی ghz6/10-1/3 دست یافته است، همچنین مقدار توان تلف شده به ازاء ولتاژ تغذیه v 8/1، mw 7/13 می¬باشد.