در دهه های اخیر و پس از کشف نانوتیوب های کربنی، مواد نانوساختار نیمه رسانای تک بعدی به دلیل خواص منحصربفردشان جذابیت های قابل توجه زیادی بدست آورده اند. در میان انواع متنوع نانوساختارهای یک بعدی، نیمه رسانای اکسید قلع (sno2) به خاطر خواص الکترونیکی و ساختاری خوبش، کاربردهایی در ابزارهای الکترونیکی، اپتو الکترونیکی، فوتونیک، باتری های یون لیتیم و سنسورهای گازی پیدا کرده است. در این پژوهش، نانولوله/ نانوسیم های دی اکسید قلع از روش رسوب دهی فاز مایع و با استفاده از تمپلیت های آلومینایی سنتز شد. همچنین تأثیر پارامترهای دما و زمان واکنش بر روی مورفولوژی نانولوله / نانوسیم های sno2 سنتز شده، مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور از ماده اولیه (nh4)2snf6 که پیش ماده اصلی برای تهیه نانولوله/ نانوسیم های sno2 است، استفاده شد. در ادامه با استفاده از فرایند غوطه وری تمپلیت ها به داخل محلول رقیق آبی قلع، واکنش شیمیایی بین این محلول و تمپلیت آلومینایی انجام و منجر به رسوب دهی نانولوله/ نانوسیم های sno2 گردید. نتایج حاصل از تصاویر میکروسکوپ الکترونی- گسیل میدانی و میکروسکوپ الکترونی عبوری حاکی از تشکیل ردیف های منظم نانوسیم sno2 با قطری در حدود 100-60 نانومتر در شرایط دمایی 45 درجه سانتی¬گراد و زمان واکنش 240 دقیقه بود. همچنین آنالیز پراش پرتو ایکس بیانگر این بود که پس از کلسیناسیون نمونه ها در دمای 500 درجه سانتی گراد، نانوسیم های sno2 با ساختار کریستالی روتایل تتراگونال تشکیل می شوند.