با پیشرفت تکنولوژی در زمینه فن¬آوری نانو، امکان ساخت و طراحی سیستم¬های کوانتومی نیم رسانا در سال¬های اخیر فراهم شده است. به علت ویژگی‎های الکترونی و نوری منحصر به فرد، سیم‎های کوانتمی نیم رسانا، توجه بسیاری را به خود جلب کرده است. در چند سال اخیر بسیاری از گروه های پژوهشی رشد نانوسیم های نیم‎رسانا با ساختارهای چندگانه‎ی طولی را گزارش کرده اند. در این پایان نامه یک سیم کوانتومی با ساختار چندگانه‎ی طولی را در نظر گرفته و تأثیر همزمان میدان‎های الکتریکی و مغناطیسی را بر خواص الکترونی و نوری آن بررسی می‎کنیم. در این راستا، برای بدست آوردن ویژه مقادیر و ویژه توابع سیستم از روش قطری کردن ماتریس ها استفاده کرده و با بکارگیری فرمول‎بندی ماتریس چگالی و روش تکرار خواص نوری سیستم را محاسبه می‎کنیم. سرانجام، تأثیر میدان های الکتریکی و مغناطیسی و پارامترهای مربوط به سیم کوانتومی را بر ترازهای انرژی سیستم و ضرایب جذب و شکست نوری، ضرایب همسوسازی نوری، تولید هماهنگ‎های مرتبه‎ی دوم و سوم و پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی را به صورت نظری مطالعه می‎کنیم. نتایج نشان دهنده تأثیر قابل ملاحظه میدان‎ الکتریکی، پهنای چاه پتانسیل و ضخامت فصل مشترک بین نواحی مختلف سیم کوانتومی بر خواص الکترونی و نوری سیستم و پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی می باشد.