نام پژوهشگر: مریم صمدی مجرد

ساختار عمودی و ضخامت شاره های برافزایشی داغ در حضور میدان مغناطیسی
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم پایه 1393
  مریم صمدی مجرد   مهدی خواجوی

در تحقیق نخست به بررسی تأثیر میدان مغناطیسی چنبره ای در ساختار عمودی و نیز ضخامت شاره های برافزایشی پهن رفت غالب می پردازیم. شاره برافزایشی مغناطیده را ایستا و با تقارن محوری در فاز پهن رفت غالب در نظر می گیریم. فرض می کنیم که سازوکارهای مسلط برای اتلاف انرژی، ناشی از دو عامل وشکسانی تلاطمی و پخش مغناطیسی است. در این تحقیق از روش خودمشابه در راستای شعاعی استفاده خواهیم کرد تا وابستگی عمودی کمیات فیزیکی ای چون سرعتهای شعاعی، سمتی و سرعت صوت و آلفن را بیابیم. نتایجی که در این تحقیق به آن می رسیم نشان می دهد که مولفه عمودی نیروی مغناطیسی در جهت مخالف با نیروی گرانش عمل می کند و سبب فشرده تر شدن قرص می شود، یعنی در مقایسه با حالتی که میدان مغناطیسی وجود ندارد باعث کاهش چشمگیری در نیم پهنای قرص می شود. از سوی دیگر، دو پارامتر در مسئله وجود دارد که نقشی موثر در پهنای قرص دارند یکی از آنها به واسطه کنش میدان مغناطیسی بر روی شاره و دیگری ناشی از واکنش شاره در پاسخ به تأثیر میدان مغناطیسی است. اولین پارامتر، "بتا0" است که نشاندهنده شدت میدان مغناطیسی در صفحه استوایی قرص است و باعث کاهش ضخامت قرص می شود و دیگری پارامتر "اتا0" است که پخش مغناطیسی را نشان می دهد و هنگامی که این پارامتر افزایش می یابد سبب افزایش ضخامت شاره می شود. در تحقیق دوم، اثرات میدان مغناطیسی عام بر روی شاره برافزایشی داغ وشکسان- مقاوم را بررسی می کنیم. هر سه مولفه سرعت و میدان مغناطیسی را در مختصات کروی در نظر می گیریم. فرض می کنیم که عوامل اصلی گرمایش شاره مغناطیده، وشکسانی تلاطمی و پخش مغناطیسی است. برای توصیف شاره ای با تقارن محوری پایا، از روش خودمشابه استفاده می کنیم. از الگوی آلفا برای وشکسانی استفاده می کنیم و فرض می کنیم تنها یک مولفه تانسور تنش، مهم است. بنابراین دستگاهی شامل معادلات دیفرانسیل مرتبه اول را بدست می آوریم و با استفاده از تقارن آیینه ای حول استوا، شرایط مرزی لازم را تعیین کرده و سپس دستگاه را با روش عددی حل می کنیم. شرط مرزی برای میدان مغناطیسی را با استفاده از فرض تقارن فرد آن حول استوا تعیین می کنیم.در این تحقیق روی 4 پارامتر تمرکز می کنیم که عبارتند از: "بتا r0" و "بتا فی 0" (مربوط به مولفه های میدان مغناطیسی در استوا)، "اِتا0" (مقاومت مغناطیسی) و n (شاخص چگالی). پاسخهای ما نشان می دهند که قرص به دو منطقه مجزا تقسیم می شود یکی منطقه ای که در آنجا سرعت شعاعی منفی است و دیگری جایی است که سرعت شعاعی مثبت است. شرط مرزی برای وقوع برون ریزش را بزرگتر بودن "بتا فی0" در مقایسه با"بتا r0" برای حالت n>1 یافتیم. نتایج این قسمت نشان می دهند که هرچقدر "بتا r0" کوچکتر و "بتا فی0" ،"اتا0" و n بزرگتر باشند برون ریزش قویتری در سیستم وجود خواهد داشت.