در این رساله با استفاده از فرمول بندی پراکندگی لاندائو-بتیکر به بررسی رسانش در گرافین تک لایه می پردازیم . گرافین تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است که اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده است . ما نشان خواهیم داد با حضور جفت شدگی اسپین مدار می توان در این ماده دو بعدی گاف ایجاد نمود . نتایج نشان می دهند جفت شدگی اسپین مدار راشبا علاوه بر ایجاد گاف در نوار، می تواند روی ترابرد اسپین حامل های بار تاثیر داشته باشد و باعث قطبیدگی اسپین و اسپین فیلترینگ شود. همچنین نتایج بدست آمده را با رسانش در گرافین دولایه مقایسه می کنیم . نتیجه بدست آمده حاکی از این است که رسانش تک لایه در حضور پتانسیل راشبا همان رسانش در گرافین دو لایه با حضور اختلاف پتانسییل بین دو لایه خواهد بود.