در سالهای اخیر آنتن های شکافدار با محفظه ی تشدید siw به علت داشتن ویژگی هایی مانند حجم کم، ارزان قیمت بودن و قابلیت ادغام با مدارات مسطح بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. استفاده از فناوری siw امکان پیاده سازی تمام آنتن را شامل محفظه ی تشدید و المان تغذیه بر روی یک زیرلایه می دهد. این آنتن ها عملکرد تشعشعی خوبی در مقایسه با آنتن های شکافدار با محفظه ی تشدید متداول را دارند، اگرچه حجم آن ها بطور قابل ملاحظه ایی کاهش یافته است. یکی از مشکلات آنتنهای شکافدار با محفظه ی تشدید siw پهنای باند کم است که به دلیل ارتفاع کم محفظه ی تشدید siw به وجود می آید. روش های مختلفی برای افزایش پهنای باند این آنتن ها مانند تحریک همزمان دو مد در محفظه ی تشدید، حذف زیر لایه زیر شکاف واستفاده از محفظه ی وایا اضافی در بالای شکاف پیشنهاد شده اند. در این پایان نامه روشی جدید برای افزایش پهنای باند آنتن های شکافدار با محفظه ی تشدید siw ارائه شده است. محفظه ی تشدید مربعی مورد استفاده در طراحی آنتن پیشنهادی با استفاده از یک برش مربعی دچار اختلال شده است. بی نظمی بوجود آمده باعث جدا کردن فرکانس تشدید مدهای سوده شده است. با انتخاب مناسب ابعاد برش ایجاد شده و نزدیک شدن دو فرکانس تشدید، پهنای باند آنتن افزایش می یابد. نتایج شبیه سازی نشان می دهد روش پیشنهادی باعث افزایش پهنای باند آنتن از 100mhz به 220mhz شده، بهره و بازده ی تشعشعی آنتن طراحی شده نیز به ترتیب 6/7dbi و%93 می باشد.ساختار دیگر طراحی شده در این پایان نامه آرایه ی آنتن شکافدار siw دو عنصری است. استفاده از ساختارهای آرایه ایی موجب افزایش پهنای باند و بهره ی آنتن شده است. پهنای باند و بهره ی آنتن آرایه ایی دو عنصری به ترتیب 90mhzو 3dbi نسبت آنتن یک عنصری افزایش داشته است.به منظور بررسی صحت روش پیشنهادی، یک نمونه آنتن شکافدار با محفظه ی تشدید siw یک عنصری و آرایه ی دوعنصری ساخته شده است. تطبیق خوبی بین نتایج شبیه سازی و ساخت برقرار است