در این پژوهش به محاسبه روابط پاشندگی و ویژگی گاف نوار فوتونی در بلور فوتونی توجه شده است. همچنین چگالی حالت های جایگزیده فوتونی و پارامترهای تقویت نور بررسی گردیده است. روش های محاسباتی مختلفی مانند pwe، fdtd و me در شبیه سازی و بهینه سازی ساختار بلور فوتونی بکار گرفته شده اند. نشان داده شده است که روش محاسبه ldos بر اساس me روش قدرتمندی برای مطالعه گسیل خودبخودی، تقویت نور و محاسبه محصورسازی فوتون در نانوکاواک های بلور فوتونی می باشد. عامل کیفیت q نانوکاواک بلور فوتونی با استفاده از این روش محاسبه شده و با پاسخ پالس روش تفاضل متناهی در حوزه زمان مقایسه گشته و نشان داده شده است که این روش دقیق تر و به لحاظ محاسباتی به صرفه تر می باشد. تاثیر جابه جایی و تغییر اندازه شعاع میله های همسایه نانو کاواک بلور فوتونی بر حجم مدی و محصورسازی نور و افزایش تعداد لایه های اطراف کاواک بر عامل q بررسی شده است.