مقدمه: امروزه افراد بسیار زیادی چه در محیط کار و چه در منازل، تحت تابش بسامدهای مختلف از امواج الکترومغناطیس قرار می گیرند. نگرانی از اثرات احتمالی ناشی از پرتودهی مغناطیسی بخصوص در بسامد (50-60hz) که افراد بدون استفاده از محافظ در معرض قرار می گیرند، عامل انجام تحقیقات زیادی در مراکز علمی جهان گردیده است. تحقیقات موجود جهت بررسی بیماری ها و اختلالات عصبی و حافظه ای به دلیل مواجهه با میدان های الکترومغناطیس (emf) منتشر شده توسط خطوط فشار قوی و پست های برق بسیار اندک است، لذا هدف از این مطالعه بررسی وضعیت حافظه کوتاه مدت دانش آموزان در معرض (emf) حاصل از خطوط فشار قوی می باشد. روش انجام کار: در این مطالعه cross-sectional، دو مدرسه ابتدایی واقع در نزدیک پست فشار قوی در شهر تهران به عنوان مورد و دو مدرسه ابتدایی در همان محدوده جغرافیایی و با شرایط اجتماعی و اقتصادی و حتی کیفیت هوایی مشابه به عنوان شاهد انتخاب شدند. در ارزیابی محیطی چگالی شار مغناطیسی 38 نقطه از بخش های مختلف مدارس تعیین شد و برای ارزیابی فردی 176 دانش آموز پسر (12-10) سال که به طور تصادفی انتخاب شده بودند، از پرسشنامه استاندارد حافظه کوتاه مدت (وکسلر) و دموگرافیک استفاده گردید. اطلاعات با استفاده از spss ورژن 20 مورد بررسی و آنالیز قرار گرفت. داده ها با استفاده از آزمون های آماری kolmogorov-smirnov برای بررسی نرمال بودن داده ها و سپس با آزمون های t مستقل، من- و یتنی و مجذور کا و همبستگی پیرسون تجزیه و تحلیل شد. یافته ها: بین شغل و تحصیلات والدین، سن، وضعیت تحصیلی و ... دانش آموزان دو گروه مورد و شاهد اختلاف معناداری وجود نداشت 0.05)<p). چگالی شار در مدارس مورد نسبت به شاهد بالاتر و دارای اختلاف معنادار بود (p<0.001). همچنین میانگین نمرات حافظه کوتاه مدت دانش آموزان در مدارس مورد پایین تر و با اختلاف معنادار نسبت به دانش آموزان مدارس شاهد ارزیابی شد. بین نمرات حافظه کوتاه مدت و چگالی شار مغناطیسی رابطه معنادار و معکوس وجود داشت. نتیجه گیری: قرار گرفتن در معرض میدان های مغناطیسی با فرکانس بی نهایت کم حاصل از خطوط فشار قوی ممکن است تأثیر منفی بر حافظه کوتاه مدت داشته باشد. البته عواملی که باعث کاهش حافظه کوتاه مدت می شود بسیار پیچیده تر و فراتر از محدوده داده های جمع آوری شده است و برای یافتن ارتباط دقیق نیاز به مطالعات بیشتر است.