abstract recent studies suggest that prelistening activities play an important role in the development of listening comprehension (e.g. long 1990;chiang and dunkel 1992; schmidt-rinehart 1994; jensen and hansen 1995; robinson et al., 1995; buck, 1995; foster and skehan,1996; teng 1996; robinson, 2001; chang and read 2006). in line with previous studies and to shed light on a new aspect of schemata-building, this study tried to investigate the effect of vocabulary preparation on efl learners listening comprehension development and their confidence level. the sample consisted of a total of 36 freshman english language and literature majors at semnan university divided into experimental and control groups. both groups took listening comprehension pretest and posttest. the participants in the experimental group were given the vocabulary list at each session as a prelistening activity, and after the treatment, they filled in a questionnaire concerning their confidence. subjects’ scores in experimental group were compared to those in control group. the results of the t-test (observed-t) revealed that the experimental group outperformed the control group. the students’ overall responses also indicated a positive view towards vocabulary preparation. it is concluded that the preparation of vocabulary like many other prelistening activities contributes to the development of listening comprehension ability. it also influences the learners’ confidence for further cognitive and affective involvement. key words: efl learners, listening comprehension, vocabulary preparation, confidence

نظریه تابعی چگالی به عنوان یک روش نسبتاً دقیق برای محاسبه ها ساختار الکترونی جامد ها به حساب می آید. انرژی تبادلی موجود در دسته معادلات کان-شم از جمله انرژی تبادلی همبستگی را می توان با استفاده از تقریب هایی چون چگالی موضعی(lda) و تقریب شیب تعمیم یافته(gga) محاسبه کرد. در این پایان نامه در تمام محاسبه ها از کد وین (wien2k) استفاده شده است. این پایان نامه شامل چهار فصل می باشد که در فصل اول به توضیح نظریه تابعی چگالی پرداختیم و اصول اولیه آن را بیان کردیم. در فصل دوم توسط برنامه وین که بر پایه نظریه تابعی چگالی محاسبه-ها خود را انجام می دهد، پرتوی از الکترون ها را به نانولایه co/ru بر زیر لایه si تاباندیم. در واقع الکترون فرودی هنگام برخورد به هدف، مقداری از انرژی خود را از دست می دهد و به الکترون لایه مورد نظر منتقل می کند. الکترون با گرفتن این انرژی می تواند از لایه مغزه گذار انجام داده و به لایه بیرونی جابجا شود که در این فصل گذار ها را با مقایسه با نمودار چگالی حالت های الکترونی مشخص کردیم. در فصل سوم با تاباندن اشعه ایکس به نانولایه اول و دوم ( نانولایه دوم شبیه نانولایه اول بوده با این تفاوت که به جای یک لایه روتینیوم، یک لایه کبالت جایگزین شده است ) طیف جذبی و گسیلی آن را مورد بررسی قرار دادیم و به این نتیجه رسیدیم که اشعه ایکس به خاطر انرژی زیاد آن قابلیت دارد که به الکترون های مغزه عنصر مشخصی بتابد و باعث برانگیختگی آن شود. طیف جذبی اشعه ایکس به طور مستقیم برانگیختگی یک الکترون مغزه به حالت های اشغال نشده را اندازه گیری می کند و از آن توانستیم ساختار الکترونی حالت های اشغال نشده اتمی مشخص را به دست آوریم. همچنین در این فصل طیف جذبی و گسیلی اشعه ایکس نانو لایه اول و دوم بر روی زیر لایه سیلسیم را به دست آورده و با حالت انبوهه آن مقایسه کردیم. در فصل چهارم ویژگی های اپتیکی این نانولایه ها، از قبیل قسمت موهومی وحقیقی تابع دی الکتریک، ضریب شکست و خاموشی و همچنین ضریب بازتاب را مورد بحث قرار دادیم. دیده شد که قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک برای سه راستای x، yو z رفتار یکسانی ندارد و این نشان دهنده نا همسانگردی اپتیکی نانولایه ها می باشد. در انرژی-های بسیار کم و یا به عبارت دیگر در بسامد های پایین، نانولایه اول و دوم بر خلاف راستای z در راستا های x و y ضریب شکست زیادی را از خود نشان می دهند. در هر سه راستا ضریب جذب در نانو لایه اول کوچکتر از نانولایه دوم می باشد و این به معنی آن است که موج الکترومغناطیس وقتی با نانولایه اول برخورد می کند، آسان تر از وقتی که به نانولایه دوم برخورد می کند از آن می گذرد. ناهمسانگردی بازتاب در جهت های گوناگون برای نانولایه اول و دوم دیده می شود و همچنین در راستای x و y نانولایه اول ودوم در انرژی های پایین، یک بازتابنده کامل است. در واقع با به دست آوردن خواص اپتیکی مواد می توان بسیاری از خصوصیات آن ها را توجیه و در کاربرد های متفاوت استفاده کرد.

ما در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی آلیاژهای تمام هویسلر mn2xy(x=pd,ag ; y=si, ge) را با استفاده از نظریه تابعی چگالی و کد wien2k محاسبه و بررسی کرده ایم. پتانسیل تبادلی همبستگی را با استفاده از تقریب های lda، gga وlda+u محاسبه کرده ایم. بر طبق دانش ما، داده های تجربی و نظری برای خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی این آلیاژها وجود ندارد. ما برای بررسی پایداری آلیاژهای mn2xy انرژی همدوسی این آلیاژها را محاسبه کردیم. انرژی همدوسی این آلیاژها منفی است که نشان می دهد این آلیاژها پایدارند. ثابت شبکه، مدول حجمی و مشتق مدول حجمی این آلیاژها نیز محاسبه شده است. همچنین پارامتر هابارد u را برای اتم های mn، pd در آلیاژهای mn2xy به روش ابتدا به ساکن محاسبه کردیم. ما برای بررسی خواص الکترونی این آلیاژها نمودارهای نوار انرژی و چگالی حالت های الکترونی را در فاز فرومغناطیس و با استفاده از رهیافت lda+u رسم و بررسی کرده ایم. نتایج این محاسبات نشان می دهد که سهم عمده چگالی حالت-های الکترونی در نزدیکی انرژی فرمی ناشی از الکترون های اربیتال d3 اتم mn و d4 اتم های pd و ag است. در ادامه گشتاور مغناطیسی این آلیاژها را محاسبه کردیم. با توجه به محاسبات انجام شده سهم اتم های x و y در خواص مغناطیسی آلیاژهای mn2xy در مقایسه با اتم mn ناچیز است. همچنین تأثیر فشار بر گشتاور مغناطیسی و چگالی حالت های الکترونی این آلیاژها را بررسی کردیم. نتایج محاسبات نشان می دهد، گشتاور مغناطیسی با افزایش فشار کاهش می یابد.

در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی انبوهه uas و سپس خواص الکترونی و مغناطیسی نانولایه های uas/ge با یک و دو ضخامت uas مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات بر مبنای نظریه تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی بعلاوه اوربیتال های موضعی(apw+lo) با استفاده از کد محاسباتی wien2k انجام شده است. برای تخمین پتانسیل تبادلی همبستگی از تقریب شیب تعمیم یافته gga و (gga+u) استفاده شده است. چگالی حالت‏های الکترونی ترکیب uas در حضور و غیاب برهم‏کنش اسپین-‏مدار تاثیر قابل‏ملاحظه برهم‏کنش اسپین-‏مدار را بر چگالی حالت‏های الکترونی این ترکیب نشان می‏دهد. علاوه بر این بررسی چگالی حالت های الکترونی نشان می دهد که الکترونهای اربیتال 5f همراه با سایر الکترون های اتم اورانیوم در رسانش و هیبریدشدگی این اتم شرکت می کنند. همچنین این بررسی ها نشان می دهد که الکترون های اربیتال 5f اتم اورانیوم موثرترین الکترون ها در ایجاد خاصیت مغناطیسی این ترکیب هستند. گشتاور مغناطیسی این ترکیب در فشارهای متفاوت نیز محاسبه شده است. نتایج محاسبات نشان می‏دهد که گشتاور مغناطیسی با فشار کاهش می‏یابد. سپس با استفاده از همگرایی تابع کار و مقایسه چگالی حالتهای الکترونی اتم میانی به ازای ضخامت های مختلف زیرلایه مشخص گردید که تعداد 13 لایه ژرمانیوم برای شبیه سازی زیرلایه کافی می باشد، سپس لایه های uas را بر روی این تعداد لایه رشد داده ایم. سپس چگالی حالت های الکترونی و گرادیان میدان الکتریکی (که به عنوان معیاری از عدم تقارن در توزیع بار است) در محل اتم های واقع در سطح و زیرلایه محاسبه شده است. همچنین تابع کار، گشتاور دوقطبی الکتریکی و گشتاور مغناطیسی برای اتم های سطح در نانولایه های uas/ge به ازای یک و دو لایه uas محاسبه شده است. نتایج نشان می دهد اتم های ge در مرز مشترک نانولایه مقدار کمی گشتاور مغناطیسی دارند. این گشتاور مغناطیسی القایی با هیبریداسیون بین الکترون های p اتم ژرمانیوم و 5f اتم اورانیوم ایجاد می شود.

در این پایان نامه ویژگی های الکترونی و نوری نانولایه های mgse/ge با دو ضخامت متفاوت از رهیافت نظریه تابعی چگالی با استفاده از کد محاسباتی wien2k محاسبه شده اند. برای محاسبه پتانسیل تبادلی همبستگی از تقریب شیب تعمیم یافته استفاده می شود. در ابتدا ویژگی های الکترونی و ساختاری مانند پارامتر شبکه، مدول حجمی، مشتق مدول حجمی نسبت به فشار و چگالی حالت های الکترونی برای حالت انبوهه ترکیب های mgseو geمحاسبه شده اند. پس از این چگالی حالت های الکترونی نانولایه های mgse/ge با توجه به اثر اتم-های سطح و مرز مشترک محاسبه شده است. تفاوت چگالی حالت های الکترونی اتم های مرز مشترک نانولایه ها با حالت انبوهه آنها بیانگر اثر شکست تقارن و همچنین ترکیب شدگی بین الکترون های p اتم های ge و se در مرز مشترک نانولایه ها می باشد. علاوه بر این شیب میدان الکتریکی در محل اتم های مختلف این نانولایه ها محاسبه -شده است. نتیجه ی این محاسبه ها نشان می دهد که به ترتیب اتم های ge، se و mgبیشترین عدم تقارن توزیع بار را دارند. بررسی سهم مدار های مختلف در ایجاد شیب میدان الکتریکی نشان می دهد که گستردگی مدار p این اتم ها باعث افزایش مولفه های شیب میدان الکتریکی این اتم ها می شود. در بررسی ویژگی های نوری نانولایه های mgse/ge بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، تابع اتلاف، ضریب بازتاب، ضریب شکست و خاموشی این نانولایه ها محاسبه و مقایسه شده اند. وجود ناهمسانگردی نوری در این نانولایه ها دیده می شود. نانولایه-هایmgse/ge در صفحه xy رفتار رسانا و در راستای z رفتار نیمرسانا دارند. با استفاده از ساختار نواری که برای ترکیب هایmgse و ge و ترکیب های ux(x=sb,se,te) در حالت انبوهه به دست آورده ایم جرم موثر این ترکیب ها را محاسبه و مقایسه کرده ایم. برای شناخت بیشتر از رفتار ترکیب های فرمیون سنگین ux(x=sb,se,te) ویژگی های الکترونی و مغناطیسی این ترکیب ها را نیز مورد بررسی قرار داده ایم. چگالی حالت های الکترونی این ترکیب ها در حضور و غیاب برهمکنش اسپین- مدار محاسبه شده است. این برهمکنش اثر قابل توجهی بر چگالی حالت های الکترونی این ترکیب ها دارد. همچنین گشتاور مغناطیسی این ترکیب ها در فشارهای مختلف محاسبه شده اند. نتیجه های به دست آمده نشان می دهد که این گشتاورها با افزایش فشار کاهش می یابند.

در این پژوهش محاسبات بر پایه نظریه تابعی چگالی و کد محاسباتی wien2k و با استفاده از رهیافتهای چگالی موضعی (lda) ، شیب تعمیم یافته (gga) و انگل وسکو (gga-ev) انجام میگیرد. ابتدا با بهینه کردن پارامترهای محاسباتی ساختار گرافن تخت تک لایه و ابر یاخته آن را شبیهسازی میکنیم و سپس خواص الکترونیکی و اپتیکی آن را مورد بررسی قرار میدهیم. سپس با وارد کردن اتمهای ga ، ge ، co و pd به روش جانشانی در ابر یاخته گرافن، به مطالعه تاثیر ناخالصی در خواص الکترونی و اپتیکی گرافن میپردازیم. با جانشانی اتمهای ناخالصی گالیم و کبالت درگرافن، گرافن خاصیت فلزی پیدا میکند. اختلاف انرژی بین نوار ظرفیت و نوار رسانش در اثر ناخالصی گالیم نسبت به اتم ناخالصی کبالت کمتر است. در انرژی فرمی چگالی حالتهای الکترونی اوربیتال pz از اتم گالیم جانشانی شده در ابر یاخته گرافن و اوربیتال d از اتم کبالت جانشانی شده در ابر یاخته گرافن غیر صفر است. گرافن آلاییده شده با اتمهای ژرمانیوم و پالادیوم نیم رساناست. گاف انرژی محاسبه شده در اثر اتمهای ناخالصی ژرمانیوم و پالادیوم با استفاده از رهیافت gga به ترتیب ev 183/0 و ev243/0 میباشد. بنابراین اتمهای ژرمانیوم و پالادیوم باعث بزرگ شدن گاف انرژی در گرافن می شود. اوربیتال pz از اتم ژرمانیوم جانشانی شده در ابر یاخته گرافن و اوربیتال d از اتم پالادیوم جانشانی شده در ابر یاخته گرافن بیشترین سهم را در اطراف سطح فرمی دارند. با وارد کردن اتمهای ناخالصی در ابر یاخته گرافن، صرف نظر از نوع اتم، اوربیتال px از اتمهای کربن همسایه اتم ناخالصی در اطراف سطح فرمی بیشترین سهم را دارد. با توجه به محاسبات انجام شده، رفتار پارامترهای اپتیکی در راستاهای یکسان در گرافن آلاییده شده با اتمهای ناخالصی ژرمانیوم و پالادیوم مشابه است. از طرف دیگر رفتار پارامترهای اپتیکی گرافن آلاییده شده با اتمهای ناخالصی گالیوم و کبالت نیز مشابه است. به نظر میرسد اتمهای ناخالصی گالیوم و کبالت که تعداد الکترون های ظرفیت آنها فرد است، صرف نظر از اینکه به کدام گروه از جدول تناوبی تعلق دارند تاثیر یکسانی بر گرافن داشته اند و اتمهای ناخالصی ژرمانیوم و پالادیوم نیز که تعداد الکترونهای ظرفیت آنها زوج است نیز تاثیر یکسانی روی گرافن داشته اند. واژگان کلیدی: نظریه تابعی چگالی ، گرافن ، ناخالصی ، ساختار نواری

نظریه تابعی چگالی ‎(dft)‎ یکی از پرکاربردترین و موفق ترین نظریات در فیزیک محاسباتی است که با مجموعه ای از شبیه سازی های ساده توانایی پیش بینی خواص ترکیب ها و ساختارهای نو و پیچیده را داراست.این رساله که محاسبات آن بر پایه ‎dft‎ است، شامل دو قسمت اصلی به شرح زیر است: پس از مروری مختصر بر نظریه تابعی چگالی و اهمیت آن در فیزیک، در قسمت اول که شامل فصل های دو، سه و چهار است، با استفاده از بسته محاسباتی کوانتم اسپرسو به بررسی ترکیب های ‎cac‎ و ‎can‎ به عنوان نمایندگانی از ترکیب های گروه ‎ii-iv‎ و ‎ii-v‎ می پردازیم. این ترکیب های دوتایی یونی دسته جدیدی از مواد مغناطیسی هستند که بر خلاف مغناطیس های سنتی که مغناطش آنها از اوربیتال های ‎d‎ یا ‎f‎ عنصر واسطه ناشی می شود، در این ترکیب ها اوربیتال ‎p‎ آنیون عامل مغناطیسی شدن سامانه است. بررسی چرایی و چگونگی ایجاد این مغناطش و ویژگی های آن، قدرت برهم کنش تبادلی و دمای کوری سامانه، چگونگی پایداری ساختارهای مغناطیسی این مواد و ... از جمله سوال هایی است که سعی در پاسخ دادن به آنها را داریم. بر این اساس، در فصل دوم عوامل موثر در پیدایش مغناطش در این ترکیب های یونی را شرح می دهیم. همچنین در این فصل نشان می دهیم برهم کنش تبادلی و به دنبال آن دمای کوری این ترکیبات قابل قیاس و حتی بزرگتر از دمای کوری مغناطیس های مشهوری چون ‎mnsi$_2$co‎ است. استقلال خواص ساختاری (پارامتر شبکه و مدول حجمی) از مغناطش از دیگر ویژگی های خاص این دسته از مغناطیس هاست که در این فصل نشان می دهیم.ارتباط مستقیم قطبش بار در فضای حقیقی با دمای کوری و اثر برهم کنش غیرجایگزیده از دیگر مسائلی است که در این فصل به آن می پردازیم. در فصل سوم به بررسی بیشتر ترکیب ‎cac‎ پرداخته ایم و هفت ساختار پر اهمیت برای این ترکیب را بررسی می کنیم. با استفاده از محاسبات پراکندگی فونونی، پایداری دینامیکی ترکیب ‎cac‎ را در این هفت ساختار بررسی می کنیم و نشان می دهیم علاقه اتم های کربن به تشکیل دوتایی ‎$_2$c‎ موجب ناپایداری دو مورد از ساختارهای غیرمغناطیسی است. در این فصل نشان می دهیم علی رغم پایداری ساختارهای مغناطیسی و همچنین با وجود قوی بودن برهم کنش تبادلی و دمای کوری، اما ساختار غیرمغناطیسی ‎b33-cac‎ از لحاظ انرژی پایدارتر است. البته امکان ساخت ساختارهای مغناطیسی این ترکیب در آزمایشگاه و با استفاده از زیرلایه مناسب وجود دارد. نیاز رو به رشد بشر به انرژی، بهره برداری از منابع انرژی نو را می طلبد و این امر نیاز به طراحی مواد جدید خصوصاً در زمینه ی فوتوولتاییک را موجب شده است. بر این اساس، در قسمت دوم رساله که طی فرصت مطالعاتی شش ماهه در دانشگاه ماینز کلرادو انجام شده است، با استفاده از بسته محاسباتی سیستا، به بررسی امکان ایجاد حصر کوانتمی ‎در نانوساختارهای بلوری ‎si‎ که توسط ساختار بی نظم آن محصور شده اند ‎(nc-si/a-si:h)‎ می پردازیم.اهمیت این سامانه در نسل سوم سلول های خورشیدی است؛ این نسل از سلول های خورشیدی با بهره گیری از ترکیب ها و سامانه های نوینی چون ساختارهای کوانتمی و نانوساختارها که به شکل گیری پدیده هایی چون ‎qc‎ منجر می شود، سعی در افزایش کارایی سلول و کاهش هزینه ها دارد. در این راستا نانوساختارهای ‎nc-si/a-si:h‎ از اهمیت خاصی برخوردارند که در فصل پنجم به تفصیل توضیح می دهیم. اما برای دستیابی به ویژگی های مورد علاقه در این ساختار، نیاز به افزایش کیفیت شبکه بی نظم سیلیکون ‎(a-si)‎ داریم. چگونگی ساخت شبکه بی نظم سیلیکون، ویژگی های این ساختار و فرآیندهای لازم جهت افزایش کیفیت آن (که توسط یک برنامه کامپیوتری سازگار با بسته محاسباتی سیستا انجام می شود)، از جمله مواردی است که در فصل ششم توضیح می دهیم. در فصل هفتم با استفاده از کُدی که تهیه کرده ایم به بررسی اثر کاهش ضخامت نانولایه بلوری سیلیکون در خواص الکترونی و نوری ساختار ‎nc-si/a-si:h‎ می پردازیم و نشان می دهیم این سامانه قادر به ایجاد پدیده مهم و مورد علاقه حصر کوانتمی است. این نتیجه در نانولایه های سیلیکون که تنها در یک بعد توسط ساختار بی نظم آن محدود شده اند، نشان دهنده وجود حصر کوانتمی در نانولوله و نانودانه های این سامانه است که به ترتیب در دو و سه بعد محدود شده اند. دیدیم ‎qc‎ در این سامانه تنها برای حفره ها در نوار ظرفیت رخ می دهد و الکترون ها حالتی غیرجایگزیده را به نمایش می گذارند، چگونگی پیدایش این ویژگی را در فصل هفت توضیح دادیم. همچنین در این فصل نشان دادیم که در ایجاد حصر کوانتمی برای بازه بزرگتری از انرژی (که به افزایش کارایی سلول های خورشیدی منجر می شود)، کیفیت سطح محصور کننده در ناحیه مرزی با ساختار بلوری از اهمیت ویژه ای برخوردار است.

ویژگی های ساختاری و الکترونی ترکیب های luaupbوlaaupb و گرادیان میدان الکتریکی نانولایه های این دو ترکیب در راستای (001) مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبه ها برپایه نظریه تابعی چگالی وبا استفاده از کد wien2k با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته خطی به علاوه اوربیتال های موضعی(apw+lo) انجام شده است. برای بررسی ویژگی های ساختاری مانند ثابت شبکه، مدول حجمی و مشتق مدول حجمی از پتانسیل تبادلی همبستگی lda وgga استفاده شده است، از آنجایی که نتایج حاصل از رهیافت gga با درنظرگرفتن برهمکنش اسپین مدار در توافق مناسبتری با نتیجه تجربی است ازثابت شبکه محاسبه شده بااین رهیافت در ادامه محاسبه ها استفاده می شود. ویژگی های الکترونی و مغناطیسی این آلیاژها ازجمله ساختارنواری و چگالی حالت های الکترونی با استفاده از پتانسیل تبادلی همبستگی lda و gga و englevosko و mbj محاسبه و بررسی شده است ونتایج این محاسبه ها نشان داد که هر دو ترکیب نیم هاسلرluaupbوlaaupb غیرمغناطیسی هستند و رفتار الکترون ها با اسپین بالا وپایین این دوترکیب مانند هم می باشد. وسهم عمده درچگالی حالتهای الکترونی نزدیک انرژی فرمی مربوط به اوربیتالd وf اتمla است والکترونهای اتم pb نقش چندانی نزدیک انرژی فرمی ندارد. برای بررسی پایداری ساختارها در حالت انبوهه ونانولایه ها از انرژی همدوسی استفاده شده است انرژی همدوسی نانو لایه های luaupb,laaupb نشان دادکه وقتی هردونانولایه در حالتی که اتم های au روی سطح قرار داشته باشد پایدارترند. همچنین به بررسی وارونی نوار انرژی درحالت انبوهه و نانو لایه های luaupb و laaupb با رهیافت های ldaو gga و englevosko و mbj پرداخته شده است.نتیجه ها نشان داده شده است که نظم نوار انرژی این آلیاژها تغییر کرده و درنقطه ?. وارونی نوار انرژی رخ می دهد. گرادیان میدان الکتریکی در محل اتم های نانو لایه های luaupb و laaupb محاسبه شده است با توجه به مقادیر بدست آمده گرادیان میدان الکتریکی اتم هایی که روی سطح قرار گرفته اندبسیار بزرگتر از گرادیان میدان الکتریکی اتم هایی است که درون لایه داخلی نانو لایه قرار گرفته اندو این بدان معناست که عدم تقارن در توزیع ابر الکترونی اتم های روی سطح به مراتب بیشتر از اتم های لایه های داخلی است. برای توصیف روشن و واضح خصوصیات فضایی ساختار الکترونی، از چگالی بار استفاده شده است. چگالی باراتم های سطح نانولایه های luaupb و laaupb را با استفاده از رهیافت های gga و engle vosko وmbj با در نظر گرفتن برهمکنش اسپین مدار محاسبه وبررسی شده است. درنتیجه اطراف هسته های lu درنانولایه luaupb واطراف هسته های laدر نانولایه laaupb توزیع ابرالکترونی بیشتری وجود دارد.

در این پایان نامه خواص ساختاری و الکترونی انبوهه آلیاژهای نیم هاسلر lapdxpt1-xbi ( (x= 0, 0.25, 0.5, 0.75,1 و ویژگی های الکترونی و گرادیان میدان الکتریکی نانو لایه های laptbi و lapdbi در راستای (001) مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات بر پایه نظریه تابعی چگالی و با استفاده از کد wien2k نسخه 2011 با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی به علاوه اوربیتال های موضعی محاسبه و بررسی قرار گرفته است . برای بررسی خواص ساختاری از پتانسیل تبادلی همبستگی so+lda وso+ ggaاستفاده شده است، از آنجایی که رهیافت so+lda در توافق بهتری با نتیجه تجربی بود از این ثابت شبکه در ادامه محاسبات استفاده شده است. خواص الکترونی و مغناطیسی این آلیاژها از نمودارهای نوار انرژی و چگالی حالت های الکترونی که با استفاده از پتانسیل تبادلی همبستگی so+lda و so+ ggaرسم و بررسی شده است و نتایج این چنین نشان داد که دو ترکیب نیم هاسلر laptbi , lapdbi غیر مغناطیسی هستند و سهم عمده چگالی حالت های الکترونی پر شده نزدیک انرژی فرمی ناشی از اربیتال های d اتم pt , pd و چگالی حالت های الکترونی خالی در اطراف انرژی فرمی ناشی از اربیتال f اتم لانتان می باشد. همچنین به بررسی فاز عایق توپولوژی و وارونی ترازهای انرژی در نوار انرژی در lapdxpt1-xbi ((x= 0 ,0.25 ,0.5 ,0.75 ,1 و نانولایه های laptbi و lapdbi با رهیافت های so+lda و so ,+ mbjggaو so+ ggaپرداخته شد نتایج نشان داده است که با تغییر x رفتار نوار انر‍ژی این آلی‍اژها تغییر کرده و باعث تغییر نظم نواری می شود به گونه ای که نوارهای و در نقطه جابجا می شوند و وارونی نوار انرژی رخ می دهد و باعث ایجاد فاز نارسانای توپولوژی یا رسانای توپولوژی می شود. در رهیافت های so +lda و so+ gga در 1و 75/0 x=وارونی ترازها رخ می دهد و رسانای توپولوژی و در رهیافتso + mbjggaدر 5/0و 75/0 و 1 x= این فاز وجود دارد و عایق توپولوژی می باشند.

در این پایان نامه به بررسی فاز نارسانای توپولوژی و وارونی ترازهای انرژی در نوار انرژی برای ترکیبها ونانولایه های yaupb و yausn در بود و نبود ناخالصی mn با رهیافت های gga ,lda ,mbj-gga و ev-gga پرداخته شد. نتیجه ها نشان داد که در ترکیب yausn نوارهای و در نقطه ی جابجا نمی شوند و وارونی نواری رخ نمیدهد و دارای نظم نواری معمولی است. در حالی که در ترکیب yaupb نوارهای و در نقطه ی جابجا می شوند، به گونهای که بالاتر از قرار می گیرد، و وارونی نوار انرژی رخ می دهد و باعث ایجاد فاز رسانای توپولوژی می شود. نانولایه ی yausn در نبود ناخالصی، بر خلاف حالت انبوهه ی آن دچار وارونی می شود، در صورتی که در حضور ناخالصی، همانند حالت انبوهه ی آن دارای نظم نواری معمولی است. نانولایه ی yaupb در نبود ناخالصی، بر خلاف حالت انبوهه ی آن وارونی برای آن رخ نمیدهد، در صورتی که در حضور ناخالصی، همانند حالت انبوهه ی آن دچار وارونی می شود.

این پایان نامه با هدف بررسی امکان وجود rvb به عنوان حالت پایه مدل هیزنبرگ با برهم کنش پادفرو مغناطیس و نصف =s در شبکه های مربعی در هفت فصل تنظیم شده است. در فصل اول نشان چرا از برهم کنش پادفرو مغناطیس در سیستم کوانتمی انتظار نظم نیل نداریم. لذا علاقمند به بررسی این مدل با روش های دیگر هستیم، بر این اساس در فصل دوم تابع موج وردشی rvb را معرفی می کنیم و با استفاده از الگوریتم متروپلیس که در فصل سوم توضیح داده ایم انرژی حالت پایه و همبستگی اسپینی را برای حالت های مختلف تابع موج rvb در شبکه مربعی و لانه زنبوری حساب می کنیم (فصل چهارم و پنجم). با استفاده از همبستگی اسپینی مغناطیس را تعیین می کنیم و پیدایش نظم در سیستم در حالتی غیر از حالت نیل را نشان می دهیم. در فصل ششم، انرژی حالت برانگیخته سه گانه (s=1) در شبکه مربعی و لانه زنبوری را حساب می کنیم و طبق انتظار ما بی گاف بودن انرژی در =k را به دست می آوریم

ایلیدهای فسفر ترکیبات فعالی هستند دربسیاری از واکنش های با ارزش سنتز ترکیبات آلی شرکت میکنند ودارای کاربردهای سنتزی بسیار زیادی در زمینه های بیولوژیکی،دارویی وصنعتی می باشند.این ترکیبات بدلیل ساده بودن روش تهیه وهمچنین بواسطه فعالیت بسیاربالا در بسیاری از واکنشگرهاونیز راندمان بالای محصول ،ترکیبات ایده الی دربسیاری از زمینه ها می باشند

چکیده بیماری پوسیدگی ریشه و طوقه و مرگ گیاهچه از مهمترین بیماری های گوجه فرنگی می باشند که سالانه منجر به خسارت زیادی در تولید گوجه فرنگی می شوند. در سال های اخیر به دلیل خطرات زیست محیطی سموم، محققان به دنبال کاربرد روش های تلفیقی و نیز استفاده از مکانیسم های مقاومتی گیاه جهت کاهش خسارت ناشی از بیمارگرها می باشند. مقاومت پایه شامل گروهی از مکانیسم های دفاعی گیاه علیه بیمارگر ها، حشرات، گیاهخواران و صدمات مکانیکی، اعم از رسوب کالوز، استحکام دیواره سلولی، القای مسیرهای دفاعی سالیسیلیک اسید(sa) و جاسمونیک اسید(ja) است. برای بررسی نقش مسیرهای سیگنالی دخیل در مقاومت پایه گوجه فرنگی علیه rhizoctonia solani ، مارکرهای دفاعی مختلف شامل سطوح ترکیبات فنلی محلول و نامحلول، لیگنین، مالون دآلدئید، کالوز، رادیکالهای فعال اکسیژن، فنیل آلانین آمونیالیاز(pal)، و لیپوکسیژناز (lox) در دو رقم حساس و مقاوم گوجه فرنگی در زمانهای مختلف پس از آلودگی بررسی شد. نتایج نشان داد که میزان این ترکیبات در رقم مقاوم نسبت به حساس دارای افزایش بود. در دیسکهای برگی تیمار شده با مهارکننده های pal و lox به عنوان مارکرهای عمده مسیرهای فنیل پروپانوئید و اکتادکانوئید، افزایش شاخص بیماری مشاهده شد. همچنین در ارزیابی های میکروسکوپی مربوط به تولید کالوز و رادیکالهای فعال اکسیژن نیز افزایش تجمع این ترکیبات در رقم مقاوم، در زمان کوتاهتری پس از آلودگی با قارچ بیمارگر در مقایسه با گیاهان حساس مشاهده گردید. در بررسی اثر نیتریک اکسید بر مکانیسم ها ی دخیل در مقاومت پایه نیز افزایش مارکرهای مقاومتی مشاهده شد. کاربرد سدیم نیتروپروساید (snp) به عنوان مولد نیتریک اکسید سبب کاهش میزان پراکسیداسیون اسیدهای چرب در رقم مقاوم شد. اگرچه در گیاهان تیمار شده با snp، کاهش تجمع رادیکالهای فعال اکسیژن در هر دو رقم مقاوم و حساس مشاهده شد، میزان تجمع کالوز در رقم مقاوم افزایش یافت. تیمار دیسکهای برگی با ترکیبات بازدارنده pal و lox نشان داد که اثر القای مقاومت ناشی از کاربرد snp توسط این ترکیبات از بین رفت. در بررسی بیان ژنهای pal و lox مشاهده شد که میزان بیان این ژنها در گیاهان آلوده به بیمارگر و همچنین در گیاهان تیمار شده با snp و آلوده به بیمارگر افزایش یافت. به طور کلی، نتایج این پژوهش نشانگر نقش مهم مسیرهای انتقال سیگنال فنیل پروپانوئید، اکتادکانوئید و نیتریک اکسید در دفاع گیاه گوجه فرنگی علیه قارچ نکروتروف مخرب r. solani می باشد.

در این پایان نامه به مطالعه خواص ساختاری و الکترونی و تشکیل فاز توپولوژی در نرکیبات yptbi و gdptbi، آلیاژ gdxy1-xptbi به ازاء x=0, 0.25, 0.5, 0.75 ,1 و نانولایه های yptbi و gdptbi پرداخته ایم. محاسبات با استفاده از کد محاسباتی وین بر مبنای نطریه تابعی چگالی که به حل دسته معادلات کوهن-شم با امواج تخت بهبودیافته بعلاوه اوربیتال های موضعی می پردازد انجام شده است. به این منظور از رهیافت های تقریب چگالی موضعی (lda)، تقریب شیب تعمیم یافته(gga)، تقریب انگل ووسکو(ev_gga) و پتانسیل تبادلی اصلاح شده بک-جانسون(mbj) استفاده شده است.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.