کنترل انتشار نور در ساختارهای دی الکتریک لایه ای همواره مورد توجه محققین بوده است. این امر ناشی از قابلیت های فراوان این سیستم ها در کاربردهای گوناگون و وسیع در حیطه نورشناسی می باشد. مزیت اصلی سیستم لایه دی الکتریک نسبت به محیط اتمی قابلیت کاربرد آن در مطالعه انتشار نور در باند گاف بلور فوتونی است. تا به حال روش های گوناگونی برای کنترل رفتار انتشاری نور در داخل این سیستم ها ارائه شده است. برای نمونه می توان به کنترل الکتریکی، آکوستیکی، اپتیکی و نیز کنترل از طریق طراحی هندسی اشاره کرد. خواص انتشاری نور در یک سیستم لایه ای شامل سرعت گروه، جذب، پاشندگی، بازتاب و عبور می باشد. با توجه به اهمیت روش های تمام نوری برای کنترل خواص انتشاری، می توان از پدیده های همدوس برای کنترل جذب و پاشندگی در بلور فوتونی یک بعدی استفاده کرد. با توجه به وابستگی تمامی خواص نور به پذیرفتاری دی الکتریک، از این طریق می توان انتشار نور کاوشگر را از طریق میزان جذب و پاشندگی در سیستم لایه ای به صورت تمام نوری کنترل نمود. بدیهی است که حین این فرایند می توان با بهینه سازی ضخامت لایه ها کنترل پذیری انتشار نور در این سیستم ها را نیز ارتقا داد. رفتار حالت پایا و دینامیکی طیف جذبی و پاشندگی می تواند اطلاعات مفیدی در میزان کنترل پذیری سرعت گروه بدست دهد که موضوع اساسیِ این پروژه است. همچنین، پارامتر های موثر بر دینامیک و حالت پایای جذب و پاشندگی در این پروژه مورد بحث قرارخواهد گرفت. کنترل تمام نوری انتشار نور در بلورهای فوتونی یک بعدی در زمینه های گوناگون فوتونیک از قبیل سوئیچ های تمام نوری فعال، بلورهای فوتونی یک بعدی، لیزرهای کاواک نیم رسانا، آینه های عبوری و بازتابی براگ، تقسیم-کننده های توان و ... دارای کاربرد می باشند.