وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشکل مواجه می سازد، چرا که در طراحی مدارهای آنالوگ و دیجیتال، دانستن پارامترهای مختلف ترانزیستور ضروری است. در این پایان نامه تاثیرات غیر یکنواختی توزیع ناخالصی ها در کانال ترانزیستورهای soi-mosfet مورد بررسی قرار گرفته است. در این بررسی شکلهای مختلف غیر یکنواختی در توزیع ناخالصی کانال مورد نظر قرار گرفته است. برای شبیه سازی ترانزیستورها از مدل موازنه انرژی استفاده شده است.