بهره برداری از تابش تراهرتز مبتنی بر شناخت دقیق چگونگی و پیامدهای بر هم کنش آن با قطعات و ساختارهایی در مقیاس نانو است. در این راستا یکی از مسائل مورد توجه، بررسی ترابرد الکترونی تحت تابش تراهرتز از میان سیم کوانتومی به عنوان یکی از اجزاء آشکارسازهای نوری و ادوات تصویر برداری می باشد. بنابراین، مطالعه ترابرد الکترونی از میان سیم کوانتومی تحت تابش تراهرتز حائز اهمیت خواهد بود. در این تحقیق، یک سیم کوانتومی دو بعدی با محدودیت فضایی عرضی که تحت اثر میدان الکترومغناطیسی قرار گرفته است، در نظر گرفتیم. از معادله لیپمن ـ شوینگر برای محاسبه ترابرد الکترون استفاده کردیم. همچنین از رابطه لانداوور برای محاسبه رسانندگی دستگاه بهره بردیم. نتایج بدست آمده حاکی از کاهش آهنگ ترابرد الکترون در حضور تابش می باشد. همچنین نتایج دلالت بر غلبه نقش پراکندگی های تک فوتونی و دو فوتونی بر نقش پراکندگی های فوتونی مرتبه بالاتر دارند.