لایه های نانوساختار سیلیکات بیسموت به روش سل- ژل تهیه و تأثیر افزودن ماده استرانسیم بر ساختار، مورفولوژی و خواص الکتریکی آنها بررسی شد. ابتدا سل های مختلف با نسبت های مشخص از مواد اولیه تهیه شد. سل های تهیه شده روی زیرلایه شیشه ای لایه نشانی شد. نمونه های تولید شده خشک و به منظور دستیابی به ساختار کریستالی کلسینه شد. نتایج الگوی xrd نشانگر تشکیل تک فاز bi4si3o12 از نمونه های آنیل شده در °c 700 می باشد. مطالعات مورفولوژی به وسیله sem و afm نیز تشکیل پوششی صاف، یکنواخت و همگن را نشان می دهد. این نتایج بیانگر کاهش اندازه ذرات با افزودن ماده استرانسیم به لایه نانوساختار سیلیکات بیسموت می باشد. با توجه به خواص الکتریکی، با افزودن ماده استرانسیم، ثابت دی الکتریک و اتلاف دی الکتریک ابتدا کاهش و سپس افزایش می یابد. همچنین با افزایش فرکانس مقادیر ثابت و اتلاف دی الکتریک کاهش می یابد.