لایه های نازک زیرکونیوم، به وسیله روش کندوپاش مغناطیسی dc بر روی زیرلایه سیلیکون انباشت شدند و سپس در دماهای ( 750-150) و زمان های متفاوت (min 180و60 ) با شار اکسیژن، بازپخت گردیدند. روش پراش پرتو - x برای مطالعه ساختار بلوری استفاده شد. نتایج، ساختاری مکعبی از فاز ارتورهمبیک اکسید زیرکونیوم برای لایه های بازپخت شده تحت 150 و ساختار مرکبی از منوکلینیک و تتراگونال برای لایه های بازپخت شده در دماهای بالاتر( 750-300 ) را نشان داد. همچنین5 نتایج xrd نشان داد که افزایش دما و زمان بازپخت باعث افزایش اندازه بلورک ها می شود. از میکروسکوپ نیروی اتمی برای تحلیل ریخت شناسی سطح نمونه استفاده شد. افزایش دما و زمان بازپخت باعث افزایش زمختی سطح و اندازه دانه ها گردید. بررسی خواص الکتریکی و مکانیکی نمونه ها همچنین نشان داد که افزایش دما و زمان بازپخت سبب افزایش مقاومت الکتریکی و کاهش سختی لایه ها می شود.