???? انی ?? ام م ?? پذیری بالا در دمای اتاق، استح ?? صفر، تحرک ?? ترون ?? گرافن خواص منحصر به فردی چون جرم ال شدن این عنصر ?? لات صنعت ?? از مش ???? دارد. ی قوی و ?? و حرارت ???? تری ?? پذیری بالا، هدایت ال ?? و انعطاف های زیادی برای ایجاد گاف انرژی قابل تنظیم برای کاربردهای ?? رسانا گاف انرژی صفر آن است. روش ?? نیم ترین ???? مورد نیاز، استفاده شده است. در این بین آلایش و تبدیل نانوصفحه به نانونوار به عنوان عمل ?? ترونی ?? نانوال که wein?k افزاری ?? نامه با استفاده از کد نرم ?? شود؛ به همین منظور در این پایان ???? ها در نظر گرفته م ?? روش ?? را مورد بررس bc نانوصفحه و نانونوار ? ???? و اپتی ?? ترون ?? باشد، خواص ال ???? م ?? ال ?? چ ?? ی تابع ?? براساس نظریه همراه با پتانسیل ?? ی خط ?? شم از روش امواج تخت بهبود یافته ?? قرار داده ایم. برای حل معادلات کوهن با ???? همبست ?? ?? انرژی تبادل ?? ی تابع ?? استفاده شده است. محاسبه (fplapw +?o) ?? کامل و اوربیتال موضع ،bc ی ? ?? دهد که نانو صفحه ???? صورت گرفته است. نتایج محاسبات نشان م gga ?? pbe کارگیری تقریب ?? به زاگ ?? ه نانونوار آرمچیر و زی ?? باشد، حال آن ???? م ?? ?? ?? و بدون خاصیت مغناطیس ev با گاف غیرمستقیم ?? رسانای ?? نیم هستند. ?? فلز و فلزی مغناطیس ?? این ساختار به ترتیب نیم ی امواج فرابنفش دارای ?? راگ این ساختار در محدوده ?? ی آرمچیر و زی ?? و همچنین نانونوار با لبه bc ی ? ?? نانوصفحه به ترتیب ثابت bc ?? z ?? bc?nr و bc ?? a ?? bc?nr بیشترین میزان جذب هستند. برای نانونوار نیز به ترتیب برابر ?? ? و ?? ? ???? تری ?? میدان ال z برابر ?? و ?? ?? و برای راستای x ایستا در راستای ?? تری ?? ال ?? دی سان و برابر ?? زاگ آن ی ?? و هردو نانونوار آرمچیر و زی bc ی ? ?? برای نانوصفحه ???? اپتی ?? تری ?? ال ?? باشد. ثابت دی ???? م باشد. ???? م ?? ی ی?? دهنده ?? نامه نشان ?? در این پایان ?? بدست آمده برای ساختارهای مورد بررس ???? و اپتی ?? ، مغناطیس ?? ترون ?? خواص ال باشد. ???? ، ترانزیستورها و …م ???? تری ?? قابلیت این ساختارها در صنایع به منظور ساخت وسایل اپتوال ?? اه پردازش موازی گروه فیزی ?? سازی انجام شده و نتایج حاصل از آن، با استفاده از آزمایش ?? محاسبات شبیه ?? تمام صورت گرفته است.